电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2014年
7期
29-33
,共5页
孙瑞泽%陈万军%彭朝飞%阮建新%张波
孫瑞澤%陳萬軍%彭朝飛%阮建新%張波
손서택%진만군%팽조비%원건신%장파
三重扩散%栅控晶闸管%电流上升率%脉冲放电
三重擴散%柵控晶閘管%電流上升率%脈遲放電
삼중확산%책공정갑관%전류상승솔%맥충방전
triple diffusion%MCT%current rising rate%pulsed discharge
传统栅控晶闸管（MCT）的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾，提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化，实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率（di/dt）较传统工艺所制造的器件提高15%，最大工作温度降低33%，热逸散速度提高36%。
傳統柵控晶閘管（MCT）的製造工藝中存在阱區濃度調整與器件性能最大化之間的矛盾，提齣瞭一種具有高電流上升率的製造工藝的優化，實現瞭具有更高正嚮電流能力與低閾值電壓的MCT器件。結果錶明該工藝製造的MCT在脈遲放電應用中電流上升率（di/dt）較傳統工藝所製造的器件提高15%，最大工作溫度降低33%，熱逸散速度提高36%。
전통책공정갑관（MCT）적제조공예중존재정구농도조정여기건성능최대화지간적모순，제출료일충구유고전류상승솔적제조공예적우화，실현료구유경고정향전류능력여저역치전압적MCT기건。결과표명해공예제조적MCT재맥충방전응용중전류상승솔（di/dt）교전통공예소제조적기건제고15%，최대공작온도강저33%，열일산속도제고36%。
As there are contradictions among the adjustment of well concentrations and device performances, in the paper, an optimization of triple diffusion process for MCT with high di/dt is proposed, which can realize MCTs with high current ability and low threshold voltages. Meanwhile, the fabricated MCTs show a 15% rise in di/dt rate, a 33% reduction in maximum temperature and a 36% rise in heat runaway speed in pulsed power discharge.
