信息记录材料
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신식기록재료
INFORMATION RECORDING MATERIALS
2014年
4期
34-38
,共5页
Ni薄膜%反常霍尔效应%弱局域
Ni薄膜%反常霍爾效應%弱跼域
Ni박막%반상곽이효응%약국역
详细研究了超薄Ni薄膜中的电子输运性质.我们发现在3～16 nm厚的Ni薄膜中低温时存在弱局域对纵向电阻率、反常霍尔电阻率和反常霍尔电导率的修正.我们得到弱局域对AH电导率修正的大小随样品无序程度的改变而改变,这和多晶Fe薄膜中得到的结果一致.通过分析弱局域对AH电导率的修正,我们判断出不同样品中斜散射机制和边跳机制分别对AH电导率贡献的大小.
詳細研究瞭超薄Ni薄膜中的電子輸運性質.我們髮現在3～16 nm厚的Ni薄膜中低溫時存在弱跼域對縱嚮電阻率、反常霍爾電阻率和反常霍爾電導率的脩正.我們得到弱跼域對AH電導率脩正的大小隨樣品無序程度的改變而改變,這和多晶Fe薄膜中得到的結果一緻.通過分析弱跼域對AH電導率的脩正,我們判斷齣不同樣品中斜散射機製和邊跳機製分彆對AH電導率貢獻的大小.
상세연구료초박Ni박막중적전자수운성질.아문발현재3～16 nm후적Ni박막중저온시존재약국역대종향전조솔、반상곽이전조솔화반상곽이전도솔적수정.아문득도약국역대AH전도솔수정적대소수양품무서정도적개변이개변,저화다정Fe박막중득도적결과일치.통과분석약국역대AH전도솔적수정,아문판단출불동양품중사산사궤제화변도궤제분별대AH전도솔공헌적대소.
