电镀与精饰
電鍍與精飾
전도여정식
PLATING & FINISHING
2014年
7期
1-6
,共6页
王宏智%卢敬%姚素薇%张卫国
王宏智%盧敬%姚素薇%張衛國
왕굉지%로경%요소미%장위국
AAO%CdSe纳米线%电沉积%光电响应%光催化
AAO%CdSe納米線%電沉積%光電響應%光催化
AAO%CdSe납미선%전침적%광전향응%광최화
AAO%CdSe Nanowires%electrodeposition%Photoelectric response%Photocatalytic
以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理.在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列.采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征.扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致.X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型.光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5h后,CdSe纳米线的降解率达94.29％,强于CdSe薄膜(52.03％).
以SeO2為硒源,以暘極氧化鋁為模闆,採用電化學方法對SeO2在堿性電解液中的還原過程進行瞭分析,確定瞭控電位製備CdSe納米線的沉積電位和鍍液組成,併分析瞭其沉積機理.在此基礎上,以暘極氧化鋁為模闆,通過控電位法成功穫得CdSe納米線陣列.採用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡和X-射線衍射對所製備的材料進行瞭形貌和結構錶徵.掃描電鏡形貌分析錶明,CdSe納米線陣列高度有序、直徑均一;直徑約100 nm,與模闆孔徑一緻.X-射線衍射測試錶明,所製得的CdSe納米線為立方晶型.光電性能測試錶明,CdSe納米線陣列電極的開路電位差值為324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解囉丹明B測試錶明,5h後,CdSe納米線的降解率達94.29％,彊于CdSe薄膜(52.03％).
이SeO2위서원,이양겁양화려위모판,채용전화학방법대SeO2재감성전해액중적환원과정진행료분석,학정료공전위제비CdSe납미선적침적전위화도액조성,병분석료기침적궤리.재차기출상,이양겁양화려위모판,통과공전위법성공획득CdSe납미선진렬.채용소묘전자현미경、투사전자현미경화X-사선연사대소제비적재료진행료형모화결구표정.소묘전경형모분석표명,CdSe납미선진렬고도유서、직경균일;직경약100 nm,여모판공경일치.X-사선연사측시표명,소제득적CdSe납미선위립방정형.광전성능측시표명,CdSe납미선진렬전겁적개로전위차치위324.8 mV,고우CdSe박막(125.5 mV);광최화강해라단명B측시표명,5h후,CdSe납미선적강해솔체94.29％,강우CdSe박막(52.03％).
