光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2014年
5期
1143-1149
,共7页
李云鹏%郑鑫%张宏吉%王孝东%陈波%曹健林
李雲鵬%鄭鑫%張宏吉%王孝東%陳波%曹健林
리운붕%정흠%장굉길%왕효동%진파%조건림
光子计数成像%磁控溅射%非晶Ge薄膜%电荷感应层
光子計數成像%磁控濺射%非晶Ge薄膜%電荷感應層
광자계수성상%자공천사%비정Ge박막%전하감응층
photon counting imaging%magnetron sputtering%amorphous Ge film%charge induce layer
为改善光子计数成像探测器电荷感应层的性能,提高光子计数成像系统的成像质量,分别用直流磁控溅射法(DC)与射频磁控溅射法(RF)制备了不同厚度的Ge薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、表面轮廓仪、四探针表面电阻测试仪对两种方法所制备的薄膜进行了结构特征与电学性能的表征.结果表明:两种方法所制备的薄膜均为非晶态结构,DC制备的Ge薄膜比RF制备的Ge薄膜稀疏,其不同膜厚下的电阻率均大于RF所制备的薄膜.实验显示,薄膜越厚其电学性能受氧化影响越小,电学性能越稳定.实验对比了不同方阻下Ge薄膜应用于探测器的成像性能,结果表明:方阻在百兆级范围内时成像效果较好,且方阻变化时成像效果变化不大,但方阻大到2 GΩ/□时会导致系统分辨率下降.
為改善光子計數成像探測器電荷感應層的性能,提高光子計數成像繫統的成像質量,分彆用直流磁控濺射法(DC)與射頻磁控濺射法(RF)製備瞭不同厚度的Ge薄膜.利用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、錶麵輪廓儀、四探針錶麵電阻測試儀對兩種方法所製備的薄膜進行瞭結構特徵與電學性能的錶徵.結果錶明:兩種方法所製備的薄膜均為非晶態結構,DC製備的Ge薄膜比RF製備的Ge薄膜稀疏,其不同膜厚下的電阻率均大于RF所製備的薄膜.實驗顯示,薄膜越厚其電學性能受氧化影響越小,電學性能越穩定.實驗對比瞭不同方阻下Ge薄膜應用于探測器的成像性能,結果錶明:方阻在百兆級範圍內時成像效果較好,且方阻變化時成像效果變化不大,但方阻大到2 GΩ/□時會導緻繫統分辨率下降.
위개선광자계수성상탐측기전하감응층적성능,제고광자계수성상계통적성상질량,분별용직류자공천사법(DC)여사빈자공천사법(RF)제비료불동후도적Ge박막.이용X사선연사의(XRD)、소묘전자현미경(SEM)、표면륜곽의、사탐침표면전조측시의대량충방법소제비적박막진행료결구특정여전학성능적표정.결과표명:량충방법소제비적박막균위비정태결구,DC제비적Ge박막비RF제비적Ge박막희소,기불동막후하적전조솔균대우RF소제비적박막.실험현시,박막월후기전학성능수양화영향월소,전학성능월은정.실험대비료불동방조하Ge박막응용우탐측기적성상성능,결과표명:방조재백조급범위내시성상효과교호,차방조변화시성상효과변화불대,단방조대도2 GΩ/□시회도치계통분변솔하강.
