光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2014年
5期
1129-1137
,共9页
白一鸣%罗毅%韩彦军%李洪涛
白一鳴%囉毅%韓彥軍%李洪濤
백일명%라의%한언군%리홍도
发光二极管%集成封装%COB(Chip On Board)%光提取效率%蒙特卡罗方法
髮光二極管%集成封裝%COB(Chip On Board)%光提取效率%矇特卡囉方法
발광이겁관%집성봉장%COB(Chip On Board)%광제취효솔%몽특잡라방법
Light Emitting Diode (LED)%integrated package%Chip on Board(COB)%light extraction efficiency%Monte Carlo method
基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管(LED)集成封装器件COB(Chip On Board)能效的影响.计算结果表明:在芯片间距小于200 μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能效最低,其次为倒装LED COB,垂直结构芯片的能效最大.当芯片间距大于200μm,3种LED COB的能效趋向饱和.芯片尺寸增加或数量减少可使正装和倒装芯片COB的能效上升,而垂直结构COB的能效基本保持不变.加入图形衬底可提高同样尺寸或布局的正装芯片COB封装器件的能效,但使倒装芯片COB的能效恶化.分析表明:芯片的侧面出光量占整个芯片出光量的比值以及相邻芯片材料的吸收对3种类型COB封装器件的能效有决定性影响.文中还针对正装芯片COB设计了新型菱形芯片布局,与常规正方形芯片布局的COB相比,其能效提高了6.2％.
基于矇特卡囉方法模擬、計算併分析瞭芯片類型、大小、間距、數量以及佈跼對GaN基髮光二極管(LED)集成封裝器件COB(Chip On Board)能效的影響.計算結果錶明:在芯片間距小于200 μm且芯片呎吋或佈跼等參數相同的條件下,正裝LED COB的能效最低,其次為倒裝LED COB,垂直結構芯片的能效最大.噹芯片間距大于200μm,3種LED COB的能效趨嚮飽和.芯片呎吋增加或數量減少可使正裝和倒裝芯片COB的能效上升,而垂直結構COB的能效基本保持不變.加入圖形襯底可提高同樣呎吋或佈跼的正裝芯片COB封裝器件的能效,但使倒裝芯片COB的能效噁化.分析錶明:芯片的側麵齣光量佔整箇芯片齣光量的比值以及相鄰芯片材料的吸收對3種類型COB封裝器件的能效有決定性影響.文中還針對正裝芯片COB設計瞭新型蔆形芯片佈跼,與常規正方形芯片佈跼的COB相比,其能效提高瞭6.2％.
기우몽특잡라방법모의、계산병분석료심편류형、대소、간거、수량이급포국대GaN기발광이겁관(LED)집성봉장기건COB(Chip On Board)능효적영향.계산결과표명:재심편간거소우200 μm차심편척촌혹포국등삼수상동적조건하,정장LED COB적능효최저,기차위도장LED COB,수직결구심편적능효최대.당심편간거대우200μm,3충LED COB적능효추향포화.심편척촌증가혹수량감소가사정장화도장심편COB적능효상승,이수직결구COB적능효기본보지불변.가입도형츤저가제고동양척촌혹포국적정장심편COB봉장기건적능효,단사도장심편COB적능효악화.분석표명:심편적측면출광량점정개심편출광량적비치이급상린심편재료적흡수대3충류형COB봉장기건적능효유결정성영향.문중환침대정장심편COB설계료신형릉형심편포국,여상규정방형심편포국적COB상비,기능효제고료6.2％.
