材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2014年
9期
15-19,29
,共6页
罗子江%周勋%王继红%郭祥%丁召
囉子江%週勛%王繼紅%郭祥%丁召
라자강%주훈%왕계홍%곽상%정소
RHEED%STM%GaAs(001)%表面重构
RHEED%STM%GaAs(001)%錶麵重構
RHEED%STM%GaAs(001)%표면중구
RHEED%STM%GaAs(001)%surface reconstruction
GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点.重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构、不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构、(4×2)重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒、实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs(001)表面的更深入研究打下基础并提供数据和理论支持.
GaAs的高遷移率與其錶麵重構和錶麵形貌有密切關聯,對于GaAs錶麵重構的研究一直是研究低維半導體的重點和難點.重點迴顧瞭幾十年來研究者們對于GaAs(001)錶麵重構的研究成果,結閤所在實驗室最近的實驗數據,對GaAs(001)錶麵重構的相關研究成果進行瞭彙總和遴選,重點講述瞭在實際應用中常用的幾種錶麵重構;從富As錶麵的C(4×4)重構、不同(2×4)重構到逐漸富Ga的(n×6)重構、(4×2)重構,結閤RHEED衍射花樣、STM掃描圖片以及毬棍模型,對它們的倒、實空間圖像以及理論模型都進行瞭深入的探討和研究,為將來進行GaAs(001)錶麵的更深入研究打下基礎併提供數據和理論支持.
GaAs적고천이솔여기표면중구화표면형모유밀절관련,대우GaAs표면중구적연구일직시연구저유반도체적중점화난점.중점회고료궤십년래연구자문대우GaAs(001)표면중구적연구성과,결합소재실험실최근적실험수거,대GaAs(001)표면중구적상관연구성과진행료회총화린선,중점강술료재실제응용중상용적궤충표면중구;종부As표면적C(4×4)중구、불동(2×4)중구도축점부Ga적(n×6)중구、(4×2)중구,결합RHEED연사화양、STM소묘도편이급구곤모형,대타문적도、실공간도상이급이론모형도진행료심입적탐토화연구,위장래진행GaAs(001)표면적경심입연구타하기출병제공수거화이론지지.
