电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
5期
662-666
,共5页
MEMS%体声波硅谐振器%有限元分析%传输线%品质因数%支撑损耗
MEMS%體聲波硅諧振器%有限元分析%傳輸線%品質因數%支撐損耗
MEMS%체성파규해진기%유한원분석%전수선%품질인수%지탱손모
MEMS%silicon bulk acoustic wave resonator%FEA%transmission line%quality factor%support loss
设计了一种基于SOI衬底工艺的MEMS体声波硅谐振器及其制造方法.利用有限元分析软件对该谐振器进行了模态分析,并针对提高品质因数Q,研究了其损耗机制.结果表明:谐振频率可达108 MHz,且取决于硅材料特性和器件尺寸,而品质因数则决定于支撑损耗.最后,从振动模态和传输线模型角度出发,提出了减少支撑损耗提高Q值的可行性方法,包括将支撑梁放置在振动节点处、梁长度设置为弹性波长的1/4及在衬底端设置声波反射器.
設計瞭一種基于SOI襯底工藝的MEMS體聲波硅諧振器及其製造方法.利用有限元分析軟件對該諧振器進行瞭模態分析,併針對提高品質因數Q,研究瞭其損耗機製.結果錶明:諧振頻率可達108 MHz,且取決于硅材料特性和器件呎吋,而品質因數則決定于支撐損耗.最後,從振動模態和傳輸線模型角度齣髮,提齣瞭減少支撐損耗提高Q值的可行性方法,包括將支撐樑放置在振動節點處、樑長度設置為彈性波長的1/4及在襯底耑設置聲波反射器.
설계료일충기우SOI츤저공예적MEMS체성파규해진기급기제조방법.이용유한원분석연건대해해진기진행료모태분석,병침대제고품질인수Q,연구료기손모궤제.결과표명:해진빈솔가체108 MHz,차취결우규재료특성화기건척촌,이품질인수칙결정우지탱손모.최후,종진동모태화전수선모형각도출발,제출료감소지탱손모제고Q치적가행성방법,포괄장지탱량방치재진동절점처、량장도설치위탄성파장적1/4급재츤저단설치성파반사기.