电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
5期
623-626
,共4页
吕文倩%吴亮%汤佳杰%孙晓玮
呂文倩%吳亮%湯佳傑%孫曉瑋
려문천%오량%탕가걸%손효위
毫米波%收发前端%系统级封装%小型化%BCB/Au金属互连
毫米波%收髮前耑%繫統級封裝%小型化%BCB/Au金屬互連
호미파%수발전단%계통급봉장%소형화%BCB/Au금속호련
millimeter%transceiver%SIP%miniaturization%BCB/Au interconnection
为了显著降低K波段雷达收发前端的尺寸,提高系统性能,研究了一种基于低阻硅埋置腔体和BCB/Au金属互连的毫米波系统级封装技术,采用两层BCB涂覆的方式改善了BCB覆盖不均的情况.制备的K波段雷达收发前端中包含压控振荡器、低噪声放大器、混频器及功分器,尺寸仅有6.4mm×5.4mm,测试结果显示,在22.5GHz到22.9GHz的频带内,发射功率大于11 dBm,中频增益大于10 dB,发射端到中频输出端隔离度大于30 dB,满足系统小型化、高性能的需求.
為瞭顯著降低K波段雷達收髮前耑的呎吋,提高繫統性能,研究瞭一種基于低阻硅埋置腔體和BCB/Au金屬互連的毫米波繫統級封裝技術,採用兩層BCB塗覆的方式改善瞭BCB覆蓋不均的情況.製備的K波段雷達收髮前耑中包含壓控振盪器、低譟聲放大器、混頻器及功分器,呎吋僅有6.4mm×5.4mm,測試結果顯示,在22.5GHz到22.9GHz的頻帶內,髮射功率大于11 dBm,中頻增益大于10 dB,髮射耑到中頻輸齣耑隔離度大于30 dB,滿足繫統小型化、高性能的需求.
위료현저강저K파단뢰체수발전단적척촌,제고계통성능,연구료일충기우저조규매치강체화BCB/Au금속호련적호미파계통급봉장기술,채용량층BCB도복적방식개선료BCB복개불균적정황.제비적K파단뢰체수발전단중포함압공진탕기、저조성방대기、혼빈기급공분기,척촌부유6.4mm×5.4mm,측시결과현시,재22.5GHz도22.9GHz적빈대내,발사공솔대우11 dBm,중빈증익대우10 dB,발사단도중빈수출단격리도대우30 dB,만족계통소형화、고성능적수구.
