电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
5期
594-599
,共6页
抗辐照电路设计%DICE触发器%重粒子实验%单粒子效应%单粒子翻转
抗輻照電路設計%DICE觸髮器%重粒子實驗%單粒子效應%單粒子翻轉
항복조전로설계%DICE촉발기%중입자실험%단입자효응%단입자번전
radiation hardened circuit design%double interlocked storage cell flip-flop%heavy ion experiment%single event effect%single event upset
基于o.18μφ工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响.对比分析不同频率、不同驱动能力、不同版图结构和不同电压这4种情况下的辐照数据,结果表明:当合理考虑DICE触发器的工作频率、工作电压、版图面积、结点驱动等因素时,电路的翻转次数可降为13次,翻转阈值达到33 MeV· cm2/mg.
基于o.18μφ工藝平檯,對雙互鎖存儲單元DICE(Double Interlocked Storage Cell)結構的觸髮器電路進行重粒子試驗,驗證單粒子效應SEE(Single Event Effect)中的單粒子翻轉SEU(Single Event Upset)對體硅CMOS工藝器件及電路的影響.對比分析不同頻率、不同驅動能力、不同版圖結構和不同電壓這4種情況下的輻照數據,結果錶明:噹閤理攷慮DICE觸髮器的工作頻率、工作電壓、版圖麵積、結點驅動等因素時,電路的翻轉次數可降為13次,翻轉閾值達到33 MeV· cm2/mg.
기우o.18μφ공예평태,대쌍호쇄존저단원DICE(Double Interlocked Storage Cell)결구적촉발기전로진행중입자시험,험증단입자효응SEE(Single Event Effect)중적단입자번전SEU(Single Event Upset)대체규CMOS공예기건급전로적영향.대비분석불동빈솔、불동구동능력、불동판도결구화불동전압저4충정황하적복조수거,결과표명:당합리고필DICE촉발기적공작빈솔、공작전압、판도면적、결점구동등인소시,전로적번전차수가강위13차,번전역치체도33 MeV· cm2/mg.
