电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
5期
589-593
,共5页
半绝缘%SiC%光导开关%击穿电压
半絕緣%SiC%光導開關%擊穿電壓
반절연%SiC%광도개관%격천전압
SiC%photoconductive semiconductor switches%semi-insulating%breakdown voltage
设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关.首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p+离子注入层,然后利用外延工艺在其中的一侧生长一层n+外延层,并将此侧定义为开关的阴极.利用二维半导体器件仿真软件,研究了n+外延层厚度对6H-SiC光导开关特性的影响.结果表明,增加外延层厚度可以提高开关的击穿电压;而开关的导通电流,首先随着n+外延层厚度的增加而减小,在n+外延层厚度为5μm达到最小值,随后随着厚度的增加,导通电流增加.
設計瞭新穎的具有垂直結構的6H-SiC光導開關.首先採用離子註入工藝在半絕緣6H-SiC襯底兩側生成一層p+離子註入層,然後利用外延工藝在其中的一側生長一層n+外延層,併將此側定義為開關的陰極.利用二維半導體器件倣真軟件,研究瞭n+外延層厚度對6H-SiC光導開關特性的影響.結果錶明,增加外延層厚度可以提高開關的擊穿電壓;而開關的導通電流,首先隨著n+外延層厚度的增加而減小,在n+外延層厚度為5μm達到最小值,隨後隨著厚度的增加,導通電流增加.
설계료신영적구유수직결구적6H-SiC광도개관.수선채용리자주입공예재반절연6H-SiC츤저량측생성일층p+리자주입층,연후이용외연공예재기중적일측생장일층n+외연층,병장차측정의위개관적음겁.이용이유반도체기건방진연건,연구료n+외연층후도대6H-SiC광도개관특성적영향.결과표명,증가외연층후도가이제고개관적격천전압;이개관적도통전류,수선수착n+외연층후도적증가이감소,재n+외연층후도위5μm체도최소치,수후수착후도적증가,도통전류증가.
