CAJ | 학술논문

应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管.原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响.在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200～400nm.大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能.表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过10 6,最大场效应迁移率约可达1.23 cm2·V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8 cm2·V-1·s-1.
응용취분을희/록규완복합재료작위책절연층적계면수식층제비료고성능적병오분장효응정체관.원자력현미경관찰발현,계면수식대병오분반도체박막적생장형모산생료흔대영향.재공백이양화규상침적적병오분정립척촌도소우150 nm,이재수식과후이양화규적표면생장적병오분정립척촌다재200～400nm.대적정립척촌능구감소정립간적계면,종이유효제고전학성능.표면개성적병오분장효응정체관적관태전류약위10-10 A,전류적개관비초과10 6,최대장효응천이솔약가체1.23 cm2·V-1·s-1,이미처리적정체관적장효응천이솔부유0.011 8 cm2·V-1·s-1.