压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2013年
4期
588-591
,共4页
冯磊洋%王大磊%石贵阳%金灯仁%程晋荣
馮磊洋%王大磊%石貴暘%金燈仁%程晉榮
풍뢰양%왕대뢰%석귀양%금등인%정진영
0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiO3(BGF-PT)压电陶瓷%EDS面扫描%阻抗谱%交流电导率
0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiO3(BGF-PT)壓電陶瓷%EDS麵掃描%阻抗譜%交流電導率
0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiO3(BGF-PT)압전도자%EDS면소묘%조항보%교류전도솔
BGF-PT piezoelectric ceramic%EDS mapping%impedance spectroscopy%AC conductivity
采用传统固相反应法制备了0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiOa (BGF-PT) (x=0.05,0.25,0.40,质量分数)陶瓷.BGF-PT呈四方相钙钛矿结构,四方畸变度c/a比约为1.09.当x(Ga) =25％时,BGF-PT陶瓷的晶粒分布均匀,Fe元素在局部区域无明显富集,该组分陶瓷在室温下具有最优的介电性能,居里温度为572℃.BGF-PT陶瓷在较低温度和高温下的载流子分别为电子和氧空位.Ga元素的引入抑制了电子电导和氧空位离子电导,降低了BGF-PT陶瓷的交流电导率.
採用傳統固相反應法製備瞭0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiOa (BGF-PT) (x=0.05,0.25,0.40,質量分數)陶瓷.BGF-PT呈四方相鈣鈦礦結構,四方畸變度c/a比約為1.09.噹x(Ga) =25％時,BGF-PT陶瓷的晶粒分佈均勻,Fe元素在跼部區域無明顯富集,該組分陶瓷在室溫下具有最優的介電性能,居裏溫度為572℃.BGF-PT陶瓷在較低溫度和高溫下的載流子分彆為電子和氧空位.Ga元素的引入抑製瞭電子電導和氧空位離子電導,降低瞭BGF-PT陶瓷的交流電導率.
채용전통고상반응법제비료0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiOa (BGF-PT) (x=0.05,0.25,0.40,질량분수)도자.BGF-PT정사방상개태광결구,사방기변도c/a비약위1.09.당x(Ga) =25％시,BGF-PT도자적정립분포균균,Fe원소재국부구역무명현부집,해조분도자재실온하구유최우적개전성능,거리온도위572℃.BGF-PT도자재교저온도화고온하적재류자분별위전자화양공위.Ga원소적인입억제료전자전도화양공위리자전도,강저료BGF-PT도자적교류전도솔.
