西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2013年
4期
72-78
,共7页
戴显英%郭静静%邵晨峰%郑若川%郝跃
戴顯英%郭靜靜%邵晨峰%鄭若川%郝躍
대현영%곽정정%소신봉%정약천%학약
正交法%计算流体动力学%减压化学气相淀积%锗硅
正交法%計算流體動力學%減壓化學氣相澱積%鍺硅
정교법%계산류체동역학%감압화학기상정적%타규
orthogonal method%computational fluid dynamics%reduced pressure chemical vapor deposition%SiGe
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终的模拟优化工艺参数.正交法设计的模拟优化参数与实际工艺实验参数相一致,低温生长应变SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度823K,反应室压强2 666.44 Pa;高温生长弛豫SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度1 123K,反应室压强7 999.32 Pa.
採用正交法對減壓化學氣相澱積生長SiGe材料的多因素、多水平計算流體動力學模擬進行優化設計.採用FLUENT軟件,對正交優化設計的試驗進行瞭密度、速度及壓彊分佈的模擬.對生長錶麵9點位置處的模擬結果進行瞭極差和方差分析,得到瞭最終的模擬優化工藝參數.正交法設計的模擬優化參數與實際工藝實驗參數相一緻,低溫生長應變SiGe的優化模擬參數為流量1.67×10-4 m3/s,基座溫度823K,反應室壓彊2 666.44 Pa;高溫生長弛豫SiGe的優化模擬參數為流量1.67×10-4 m3/s,基座溫度1 123K,反應室壓彊7 999.32 Pa.
채용정교법대감압화학기상정적생장SiGe재료적다인소、다수평계산류체동역학모의진행우화설계.채용FLUENT연건,대정교우화설계적시험진행료밀도、속도급압강분포적모의.대생장표면9점위치처적모의결과진행료겁차화방차분석,득도료최종적모의우화공예삼수.정교법설계적모의우화삼수여실제공예실험삼수상일치,저온생장응변SiGe적우화모의삼수위류량1.67×10-4 m3/s,기좌온도823K,반응실압강2 666.44 Pa;고온생장이예SiGe적우화모의삼수위류량1.67×10-4 m3/s,기좌온도1 123K,반응실압강7 999.32 Pa.
