无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2013年
10期
2027-2033
,共7页
翟化松%王坤鹏%余春燕%翟光美%董海亮%许并社
翟化鬆%王坤鵬%餘春燕%翟光美%董海亮%許併社
적화송%왕곤붕%여춘연%적광미%동해량%허병사
N2流量%GaN微米棒%蠕虫状GaN%GaN纳米线%化学气相沉积
N2流量%GaN微米棒%蠕蟲狀GaN%GaN納米線%化學氣相沉積
N2류량%GaN미미봉%연충상GaN%GaN납미선%화학기상침적
N2 flow rate%GaN microrods%vermicular-like GaN%GaN nanowires%CVD
采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ni为催化剂,金属Ga和NH3为原料合成了GaN微纳米结构,并研究了N2流量对产物GaN的形貌及光学和电学性能的影响.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、X-ray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)等测试手段对样品的形貌、结构、成分、光学和电学性能进行了分析.结果表明,随着N2流量的增加,产物GaN的形貌发生了由微米棒到蠕虫状线再到光滑纳米线的转变;生成的GaN均为六方纤锌矿结构；样品均表现出383 nm的近带边紫外发射峰和470 nm左右的蓝光发射峰；所有样品均为p型；并对产物GaN的形貌转变机理进行了分析.
採用化學氣相沉積法(CVD)在Si(100)襯底上以Ni為催化劑,金屬Ga和NH3為原料閤成瞭GaN微納米結構,併研究瞭N2流量對產物GaN的形貌及光學和電學性能的影響.利用場髮射掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、X射線衍射儀(XRD)、X-ray能譜儀(EDS)、光緻髮光譜(PL)和霍爾效應測試儀(HMS-3000)等測試手段對樣品的形貌、結構、成分、光學和電學性能進行瞭分析.結果錶明,隨著N2流量的增加,產物GaN的形貌髮生瞭由微米棒到蠕蟲狀線再到光滑納米線的轉變;生成的GaN均為六方纖鋅礦結構；樣品均錶現齣383 nm的近帶邊紫外髮射峰和470 nm左右的藍光髮射峰；所有樣品均為p型；併對產物GaN的形貌轉變機理進行瞭分析.
채용화학기상침적법(CVD)재Si(100)츤저상이Ni위최화제,금속Ga화NH3위원료합성료GaN미납미결구,병연구료N2류량대산물GaN적형모급광학화전학성능적영향.이용장발사소묘전자현미경(SEM)、투사전경(TEM)、X사선연사의(XRD)、X-ray능보의(EDS)、광치발광보(PL)화곽이효응측시의(HMS-3000)등측시수단대양품적형모、결구、성분、광학화전학성능진행료분석.결과표명,수착N2류량적증가,산물GaN적형모발생료유미미봉도연충상선재도광활납미선적전변;생성적GaN균위륙방섬자광결구；양품균표현출383 nm적근대변자외발사봉화470 nm좌우적람광발사봉；소유양품균위p형；병대산물GaN적형모전변궤리진행료분석.
