实验室研究与探索
實驗室研究與探索
실험실연구여탐색
LAABORATORY REESEARCH AND EXPLORATION
2013年
8期
8-12,32
,共6页
GaAs光电导开关%光激发电荷畴%限制空间电荷积累模式%混合模式
GaAs光電導開關%光激髮電荷疇%限製空間電荷積纍模式%混閤模式
GaAs광전도개관%광격발전하주%한제공간전하적루모식%혼합모식
GaAs photoconductive semiconductor switch (PCSS)%photoactivated charge domain (PACD) mode%limit space charge accumulation (LSA) mode%hybrid mode
实验中,当偏置电压达到一定阈值时,串联组合(双层)半绝缘(SemiInsulating,SI)砷化镓(GaAs)光电导开关(PCSS)输出为近似方波的双峰脉冲波形.输出脉冲随外加偏置电压的升高,上升时间基本不变,脉宽和下降时间都略有减小,双峰峰值均明显增大,开关呈现出不同于普通单个(单层)开关独特的实验现象.分析认为:串联组合SI GaAs光电导开关和普通单个开关各处于不同的工作模式中,组合开关工作在介于光激发电荷畴(Photoactivated Charge Domain,PACD)和限制空间电荷积累模式(Limit Space charge Accumulation,LSA)(简称限累模式)之间的混合模式,此工作模式使得组合开关中的电场都被扫进阈值之上的负微分迁移率区,抑制了开关进入非线性模式的锁定状态,工作效率较高;而普通开关则工作在光激发电荷畴模式,开关输出电脉冲波形呈现出典型的非线性锁定特性.
實驗中,噹偏置電壓達到一定閾值時,串聯組閤(雙層)半絕緣(SemiInsulating,SI)砷化鎵(GaAs)光電導開關(PCSS)輸齣為近似方波的雙峰脈遲波形.輸齣脈遲隨外加偏置電壓的升高,上升時間基本不變,脈寬和下降時間都略有減小,雙峰峰值均明顯增大,開關呈現齣不同于普通單箇(單層)開關獨特的實驗現象.分析認為:串聯組閤SI GaAs光電導開關和普通單箇開關各處于不同的工作模式中,組閤開關工作在介于光激髮電荷疇(Photoactivated Charge Domain,PACD)和限製空間電荷積纍模式(Limit Space charge Accumulation,LSA)(簡稱限纍模式)之間的混閤模式,此工作模式使得組閤開關中的電場都被掃進閾值之上的負微分遷移率區,抑製瞭開關進入非線性模式的鎖定狀態,工作效率較高;而普通開關則工作在光激髮電荷疇模式,開關輸齣電脈遲波形呈現齣典型的非線性鎖定特性.
실험중,당편치전압체도일정역치시,천련조합(쌍층)반절연(SemiInsulating,SI)신화가(GaAs)광전도개관(PCSS)수출위근사방파적쌍봉맥충파형.수출맥충수외가편치전압적승고,상승시간기본불변,맥관화하강시간도략유감소,쌍봉봉치균명현증대,개관정현출불동우보통단개(단층)개관독특적실험현상.분석인위:천련조합SI GaAs광전도개관화보통단개개관각처우불동적공작모식중,조합개관공작재개우광격발전하주(Photoactivated Charge Domain,PACD)화한제공간전하적루모식(Limit Space charge Accumulation,LSA)(간칭한루모식)지간적혼합모식,차공작모식사득조합개관중적전장도피소진역치지상적부미분천이솔구,억제료개관진입비선성모식적쇄정상태,공작효솔교고;이보통개관칙공작재광격발전하주모식,개관수출전맥충파형정현출전형적비선성쇄정특성.