云南师范大学学报（自然科学版）
雲南師範大學學報（自然科學版）
운남사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF YUNAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES EDITION)
2013年
5期
22-28
,共7页
廖承菌%杨培志%廖华%李学铭
廖承菌%楊培誌%廖華%李學銘
료승균%양배지%료화%리학명
黑硅%增强广谱吸收%金字塔绒面
黑硅%增彊廣譜吸收%金字塔絨麵
흑규%증강엄보흡수%금자탑융면
Black silicon%Enhanced wide spectral absorption%Pyramid texturing
为了理解金属辅助湿法化学刻蚀的机理,单晶硅片分别在氢氟酸/过氧化氢/氯金酸(HF/H2O2/HAuCl4)体系、氢氟酸/硝酸/硝酸银(HF/HNO3/AgNO3)体系、氢氟酸/过氧化氢/硝酸铜(HF/H2O2/Cu(NO3)2)体系中被刻蚀,经过三种体系刻蚀的单晶硅样品的减重量与减薄量之比值分别约为1.622、0.960、0.560.利用电动模型分析认为:差异性刻蚀的发生主要取决于电子的得失和电荷的传输两个方面.
為瞭理解金屬輔助濕法化學刻蝕的機理,單晶硅片分彆在氫氟痠/過氧化氫/氯金痠(HF/H2O2/HAuCl4)體繫、氫氟痠/硝痠/硝痠銀(HF/HNO3/AgNO3)體繫、氫氟痠/過氧化氫/硝痠銅(HF/H2O2/Cu(NO3)2)體繫中被刻蝕,經過三種體繫刻蝕的單晶硅樣品的減重量與減薄量之比值分彆約為1.622、0.960、0.560.利用電動模型分析認為:差異性刻蝕的髮生主要取決于電子的得失和電荷的傳輸兩箇方麵.
위료리해금속보조습법화학각식적궤리,단정규편분별재경불산/과양화경/록금산(HF/H2O2/HAuCl4)체계、경불산/초산/초산은(HF/HNO3/AgNO3)체계、경불산/과양화경/초산동(HF/H2O2/Cu(NO3)2)체계중피각식,경과삼충체계각식적단정규양품적감중량여감박량지비치분별약위1.622、0.960、0.560.이용전동모형분석인위:차이성각식적발생주요취결우전자적득실화전하적전수량개방면.
