CAJ | 학술논문

本文设计了一种利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法，它将数据Flash的若干扇区划分为多个数据分区，不同数据分区存储数据在不同历史时间的拷贝，最新数据分区存储最新的数据拷贝；在数据读操作进行时，计算最新数据拷贝的Flash存储位置，直接读取该地址；在数据写操作进行时，判断数据写入位置是否已经被擦除，如果写入位置未擦除，将数据写入下一个分区，同时将当前分区中的其他数据复制到下一个分区；如果写入位置已经擦除，直接将数据写入当前分区中。该方法实现了类似EEPROM的数据读写方式，操作方便，应用接口简单，而且可以尽量避免扇区擦除操作，提高存储效率，同时提高MCU内部数据Flash的使用寿命。本文网络版地址：http：//www.eepw.com.cn/article/170167.htm
본문설계료일충이용MCU내부수거Flash존저비역실성수거적방법，타장수거Flash적약간선구화분위다개수거분구，불동수거분구존저수거재불동역사시간적고패，최신수거분구존저최신적수거고패；재수거독조작진행시，계산최신수거고패적Flash존저위치，직접독취해지지；재수거사조작진행시，판단수거사입위치시부이경피찰제，여과사입위치미찰제，장수거사입하일개분구，동시장당전분구중적기타수거복제도하일개분구；여과사입위치이경찰제，직접장수거사입당전분구중。해방법실현료유사EEPROM적수거독사방식，조작방편，응용접구간단，이차가이진량피면선구찰제조작，제고존저효솔，동시제고MCU내부수거Flash적사용수명。본문망락판지지：http：//www.eepw.com.cn/article/170167.htm