湖北大学学报（自然科学版）
湖北大學學報（自然科學版）
호북대학학보（자연과학판）
2013年
3期
332-335
,共4页
杜层虎%陈潇洋%徐樽平%严东旭%朱建国%余萍
杜層虎%陳瀟洋%徐樽平%嚴東旭%硃建國%餘萍
두층호%진소양%서준평%엄동욱%주건국%여평
射频磁控溅射%钛酸锶钡薄膜%室温沉积
射頻磁控濺射%鈦痠鍶鋇薄膜%室溫沉積
사빈자공천사%태산송패박막%실온침적
radio-frequency magnetron sputtering%BaSrTiO3 thin film%room temperature deposition
采用磁控溅射技术在室温下制备Ba0．67 Sr0．33 TiO3薄膜，通过引入 LaNiO3作为缓冲层以及对退火工艺的研究，采用两步法快速退火工艺与常规退火工艺结合的方式获得了致密并具有良好电学性能的钛酸锶钡薄膜．X线衍射分析表明室温情况下获得的薄膜是非晶态，需要通过后续的退火处理才能获得晶化的薄膜，采用快速退火与常规退火相结合工艺，即以40℃/s的升温速率，先升温到850℃，再降温到450℃保温180 s ，然后再在500℃常规退火3 h ，可使室温下溅射的呈非晶态的BST薄膜晶化形成具有完全钙钛矿结构的BST 薄膜，薄膜致密，晶粒大小均匀．室温下所制备的BST薄膜在100 Hz时的介电常数约为300，介电损耗约为0．03，具有铁电性．
採用磁控濺射技術在室溫下製備Ba0．67 Sr0．33 TiO3薄膜，通過引入 LaNiO3作為緩遲層以及對退火工藝的研究，採用兩步法快速退火工藝與常規退火工藝結閤的方式穫得瞭緻密併具有良好電學性能的鈦痠鍶鋇薄膜．X線衍射分析錶明室溫情況下穫得的薄膜是非晶態，需要通過後續的退火處理纔能穫得晶化的薄膜，採用快速退火與常規退火相結閤工藝，即以40℃/s的升溫速率，先升溫到850℃，再降溫到450℃保溫180 s ，然後再在500℃常規退火3 h ，可使室溫下濺射的呈非晶態的BST薄膜晶化形成具有完全鈣鈦礦結構的BST 薄膜，薄膜緻密，晶粒大小均勻．室溫下所製備的BST薄膜在100 Hz時的介電常數約為300，介電損耗約為0．03，具有鐵電性．
채용자공천사기술재실온하제비Ba0．67 Sr0．33 TiO3박막，통과인입 LaNiO3작위완충층이급대퇴화공예적연구，채용량보법쾌속퇴화공예여상규퇴화공예결합적방식획득료치밀병구유량호전학성능적태산송패박막．X선연사분석표명실온정황하획득적박막시비정태，수요통과후속적퇴화처리재능획득정화적박막，채용쾌속퇴화여상규퇴화상결합공예，즉이40℃/s적승온속솔，선승온도850℃，재강온도450℃보온180 s ，연후재재500℃상규퇴화3 h ，가사실온하천사적정비정태적BST박막정화형성구유완전개태광결구적BST 박막，박막치밀，정립대소균균．실온하소제비적BST박막재100 Hz시적개전상수약위300，개전손모약위0．03，구유철전성．
Ba0 .67 Sr0 .33 TiO3 thin films were prepared on LaNiO 3/SiO2/Si substrate by radio frequency magnetron sputtering technology at room temperature .After sputtering ,the Ba0 .67 Sr0 .33 TiO3 thin films were annealed by two-step rapid thermal annealing and traditional annealing . The microstructure and the electric properties of the as-prepared Ba0 .67 Sr0 .33 TiO3 thin films were studied . The results showed that the two-step rapid thermal annealing and traditional annealing processing was beneficial to the sufficient crystallization and satisfied electrical properties .
