计算机工程与科学
計算機工程與科學
계산궤공정여과학
COMPUTER ENGINEERING & SCIENCE
2014年
5期
786-789
,共4页
热载流子效应%碰撞电离%界面态%垂直电场强度
熱載流子效應%踫撞電離%界麵態%垂直電場彊度
열재류자효응%팽당전리%계면태%수직전장강도
hot carrier effect (HCE)%impact ionization%interfacial state%vertical electric field intensity
针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响.实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同:体硅工艺的热载流子退化随宽度的减小而增强,SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小.基于界面态对热载流子效应的影响深入分析了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原因;同时基于边缘电场分布对热载流子效应的影响解释了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象.研究结果对于实际深亚微米工艺下,集成电路设计中器件工艺尺寸和版图结构的选择具有一定指导意义.
針對標準體硅在CMOS和PD SOI CMOS兩種工藝下的nMOSFETs,研究瞭溝道長度和寬度縮減對熱載流子效應的影響.實驗結果錶明,在兩種工藝下,熱載流子的退化均隨著溝道長度的減小而增彊;然而,寬度的減小對兩種工藝熱載流子退化的影響卻截然不同:體硅工藝的熱載流子退化隨寬度的減小而增彊,SOI工藝的熱載流子退化隨寬度的減小而減小.基于界麵態對熱載流子效應的影響深入分析瞭長度減小導緻兩種工藝下熱載流子退化均加重的原因;同時基于邊緣電場分佈對熱載流子效應的影響解釋瞭寬度減小導緻兩種工藝下熱載流子退化規律截然相反的現象.研究結果對于實際深亞微米工藝下,集成電路設計中器件工藝呎吋和版圖結構的選擇具有一定指導意義.
침대표준체규재CMOS화PD SOI CMOS량충공예하적nMOSFETs,연구료구도장도화관도축감대열재류자효응적영향.실험결과표명,재량충공예하,열재류자적퇴화균수착구도장도적감소이증강;연이,관도적감소대량충공예열재류자퇴화적영향각절연불동:체규공예적열재류자퇴화수관도적감소이증강,SOI공예적열재류자퇴화수관도적감소이감소.기우계면태대열재류자효응적영향심입분석료장도감소도치량충공예하열재류자퇴화균가중적원인;동시기우변연전장분포대열재류자효응적영향해석료관도감소도치량충공예하열재류자퇴화규률절연상반적현상.연구결과대우실제심아미미공예하,집성전로설계중기건공예척촌화판도결구적선택구유일정지도의의.
