强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2014年
6期
51-54
,共4页
范壮壮%王洪广%林舒%李永东%刘纯亮
範壯壯%王洪廣%林舒%李永東%劉純亮
범장장%왕홍엄%림서%리영동%류순량
高功率微波%介质窗%电子倍增%粒子模拟%蒙特卡罗碰撞
高功率微波%介質窗%電子倍增%粒子模擬%矇特卡囉踫撞
고공솔미파%개질창%전자배증%입자모의%몽특잡라팽당
high power microwave%dielectric window%multipactor%particle-in-cell simulation%Monte Carlo collision
基于第一性原理的粒子模拟方法,对高功率微波器件中介质窗表面电子实际形成和发展的变化情况进行了研究.使用VORPAL粒子模拟软件,建立一个简单的TEM波垂直入射介质窗表面的二维模型,采用Vaughan二次电子发射模型,利用蒙特卡罗碰撞方法处理电子与背景气体之间的弹性碰撞、激发碰撞和电离碰撞,获得了介质窗表面电子倍增的图像.模拟结果表明,介质窗表面电子数量在一定的时间内达到饱和状态,其振荡频率是入射射频电场频率的两倍.改变初始发射种子电子的数量、入射射频电场的幅值以及背景气体的压强等关键性参数,可得到不同条件下介质窗表面电子数量的变化规律.
基于第一性原理的粒子模擬方法,對高功率微波器件中介質窗錶麵電子實際形成和髮展的變化情況進行瞭研究.使用VORPAL粒子模擬軟件,建立一箇簡單的TEM波垂直入射介質窗錶麵的二維模型,採用Vaughan二次電子髮射模型,利用矇特卡囉踫撞方法處理電子與揹景氣體之間的彈性踫撞、激髮踫撞和電離踫撞,穫得瞭介質窗錶麵電子倍增的圖像.模擬結果錶明,介質窗錶麵電子數量在一定的時間內達到飽和狀態,其振盪頻率是入射射頻電場頻率的兩倍.改變初始髮射種子電子的數量、入射射頻電場的幅值以及揹景氣體的壓彊等關鍵性參數,可得到不同條件下介質窗錶麵電子數量的變化規律.
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