红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2013年
4期
304-308
,共5页
于杰%王茺%杨洲%陈效双%杨宇
于傑%王茺%楊洲%陳效雙%楊宇
우걸%왕충%양주%진효쌍%양우
SGOI%p-MOSFET%Ge合金组分
SGOI%p-MOSFET%Ge閤金組分
SGOI%p-MOSFET%Ge합금조분
SGOI%p-MOSFET%Ge alloy mole fraction
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.
利用數值模擬軟件ISE TCAD對絕緣層上應變SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的電學特性進行瞭二維數值模擬.計算結果錶明,與傳統的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源飽和電流幾乎要高齣兩倍；其亞閾值電流要高齣1～3箇數量級.Ge閤金組分作為應變SiGe溝道MOSFET的重要參數,就不同Ge閤金組分對SGOI p-MOSFET的電學特性的影響也進行瞭較為深入的研究.隨著Ge閤金組分的增大,SGOI p-MOSFET的總體電學性能有所提高.
이용수치모의연건ISE TCAD대절연층상응변SiGe (SGOI)화Si (SOI) p-MOSFET적전학특성진행료이유수치모의.계산결과표명,여전통적SOI p-MOSFET상비,SGOI p-MOSFET적루원포화전류궤호요고출량배；기아역치전류요고출1～3개수량급.Ge합금조분작위응변SiGe구도MOSFET적중요삼수,취불동Ge합금조분대SGOI p-MOSFET적전학특성적영향야진행료교위심입적연구.수착Ge합금조분적증대,SGOI p-MOSFET적총체전학성능유소제고.
