微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
5期
731-736
,共6页
结构函数%功率器件%热阻%焊料层
結構函數%功率器件%熱阻%銲料層
결구함수%공솔기건%열조%한료층
Structural function%Power device%Thermal resistance%Solder layer
基于结构函数理论,运用改进电学测试法,对同一器件管壳与基板间的不同界面进行研究,发现其积分结构函数曲线发生了分离；通过该分离点确定器件稳态结壳热阻值,获得了器件内部各结构层的热阻分布.比较测试结果与理论值,两者基本一致.该测试方法简单、方便,比传统热阻测试法准确且重复性好.对比了采用不同封装工艺的器件的微分结构函数,观察发现,其峰值位置发生了偏移；进一步的超声波扫描证实了偏移的原因是存在焊料层空洞,提出了相应的改善措施.研究表明,利用结构函数理论分析功率VDMOS器件热特性是一种准确而可靠的方法.
基于結構函數理論,運用改進電學測試法,對同一器件管殼與基闆間的不同界麵進行研究,髮現其積分結構函數麯線髮生瞭分離；通過該分離點確定器件穩態結殼熱阻值,穫得瞭器件內部各結構層的熱阻分佈.比較測試結果與理論值,兩者基本一緻.該測試方法簡單、方便,比傳統熱阻測試法準確且重複性好.對比瞭採用不同封裝工藝的器件的微分結構函數,觀察髮現,其峰值位置髮生瞭偏移；進一步的超聲波掃描證實瞭偏移的原因是存在銲料層空洞,提齣瞭相應的改善措施.研究錶明,利用結構函數理論分析功率VDMOS器件熱特性是一種準確而可靠的方法.
기우결구함수이론,운용개진전학측시법,대동일기건관각여기판간적불동계면진행연구,발현기적분결구함수곡선발생료분리；통과해분리점학정기건은태결각열조치,획득료기건내부각결구층적열조분포.비교측시결과여이론치,량자기본일치.해측시방법간단、방편,비전통열조측시법준학차중복성호.대비료채용불동봉장공예적기건적미분결구함수,관찰발현,기봉치위치발생료편이；진일보적초성파소묘증실료편이적원인시존재한료층공동,제출료상응적개선조시.연구표명,이용결구함수이론분석공솔VDMOS기건열특성시일충준학이가고적방법.
