微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
5期
723-726
,共4页
碳化硅%肖特基势垒二极管%中子辐照
碳化硅%肖特基勢壘二極管%中子輻照
탄화규%초특기세루이겁관%중자복조
Silicon carbide%Schottky barrier diode (SBD)%Neutron irradiation
采用1 MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应.实验的最高中子剂量为1×1015 n/cm2,对应的γ射线累积总剂量为33 kGy (Si).经过1×1014 n/cm2的辐照后,Ti/SiC肖特基接触没有明显退化；剂量达到2.5×1014 n/cm2后,观察到势垒高度下降；剂量达到1×1015 n/cm2后,势垒高度从1.00 eV下降为0.93eV;经过常温下19 h的退火后,势垒高度有所恢复,表明肖特基接触的辐照损伤主要是由电离效应造成的.辐照后,器件的理想因子较辐照前有所上升；器件的正向电流(VF=2V)随着辐照剂量的上升而下降.
採用1 MeV的中子對Ti/4H-SiC肖特基勢壘二極管(SBD)的輻照效應進行研究,觀察瞭常溫下的退火效應.實驗的最高中子劑量為1×1015 n/cm2,對應的γ射線纍積總劑量為33 kGy (Si).經過1×1014 n/cm2的輻照後,Ti/SiC肖特基接觸沒有明顯退化；劑量達到2.5×1014 n/cm2後,觀察到勢壘高度下降；劑量達到1×1015 n/cm2後,勢壘高度從1.00 eV下降為0.93eV;經過常溫下19 h的退火後,勢壘高度有所恢複,錶明肖特基接觸的輻照損傷主要是由電離效應造成的.輻照後,器件的理想因子較輻照前有所上升；器件的正嚮電流(VF=2V)隨著輻照劑量的上升而下降.
채용1 MeV적중자대Ti/4H-SiC초특기세루이겁관(SBD)적복조효응진행연구,관찰료상온하적퇴화효응.실험적최고중자제량위1×1015 n/cm2,대응적γ사선루적총제량위33 kGy (Si).경과1×1014 n/cm2적복조후,Ti/SiC초특기접촉몰유명현퇴화；제량체도2.5×1014 n/cm2후,관찰도세루고도하강；제량체도1×1015 n/cm2후,세루고도종1.00 eV하강위0.93eV;경과상온하19 h적퇴화후,세루고도유소회복,표명초특기접촉적복조손상주요시유전리효응조성적.복조후,기건적이상인자교복조전유소상승；기건적정향전류(VF=2V)수착복조제량적상승이하강.
