基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路
기우편정전류/전압적상변존저기사구동전로
A Write Driver for Phase Change Memory Based on Programming Current or Voltage
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2013年 5期 637-640,645 ,共5页

    范茜%陈后鹏%许伟义%王倩%蔡道林%金荣%宏潇%李喜%陈一峰

    범천%진후붕%허위의%왕천%채도림%금영%굉소%리희%진일봉

    相变存储器%写驱动电路%擦操作%阶梯波 相變存儲器%寫驅動電路%抆操作%階梯波
    상변존저기%사구동전로%찰조작%계제파
    Phase change memory (PCM)%Write driver%SET operation%Step-down pulse
    相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流扣电压脉冲编程的写驱动电路.针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波.设计采用SMIC 130 nm CMOS标准工艺库.对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率.
    상변존저기발생상변시각개단원존재차이성,위료개선기사입수거시적가고성급심편적성품솔,설계료일충가분별용전류구전압맥충편정적사구동전로.침대상변존저기SET과정적특성,사구동전로가유선택지산생전류계제파혹전압계제파.설계채용SMIC 130 nm CMOS표준공예고.대상변존저단원진행료측시,결과표명,용전류제도파사구동전로체대전통단일맥고전류맥충파사구동전로,상변존저기적저조분포경가집중,가제고실험심편적성품솔.
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