微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
5期
602-606
,共5页
王旭%杨洪艳%袁颖%吴武臣
王旭%楊洪豔%袁穎%吳武臣
왕욱%양홍염%원영%오무신
电荷读出集成电路%死区时间%失调校准%安全检测
電荷讀齣集成電路%死區時間%失調校準%安全檢測
전하독출집성전로%사구시간%실조교준%안전검측
Charge readout IC%Dead time%Offset calibration%Security inspection
介绍了一种用于X射线安全检测的多通道电荷读出集成电路.该电路可提供32通道的探测器电荷-模拟电压转换,具有无死区时间、失调校准和低噪声特性.电路由电荷放大器增益控制、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列、采样保持放大器和驱动器等组成.芯片采用华润上华0.6μm标准CMOS工艺实现,管芯尺寸为3.1 mm×7.1 mm,工作在3.3 MHz,5V供电和3.5V参考电压下的功耗为45 mW.测试结果表明,在25.5 pF的电荷放大器增益电容和52pF的光电二极管结电容下,电路的输出噪声性能达到90 μV (Vrms).
介紹瞭一種用于X射線安全檢測的多通道電荷讀齣集成電路.該電路可提供32通道的探測器電荷-模擬電壓轉換,具有無死區時間、失調校準和低譟聲特性.電路由電荷放大器增益控製、時序髮生器、移位寄存器鏈、電荷放大器陣列、採樣保持放大器和驅動器等組成.芯片採用華潤上華0.6μm標準CMOS工藝實現,管芯呎吋為3.1 mm×7.1 mm,工作在3.3 MHz,5V供電和3.5V參攷電壓下的功耗為45 mW.測試結果錶明,在25.5 pF的電荷放大器增益電容和52pF的光電二極管結電容下,電路的輸齣譟聲性能達到90 μV (Vrms).
개소료일충용우X사선안전검측적다통도전하독출집성전로.해전로가제공32통도적탐측기전하-모의전압전환,구유무사구시간、실조교준화저조성특성.전로유전하방대기증익공제、시서발생기、이위기존기련、전하방대기진렬、채양보지방대기화구동기등조성.심편채용화윤상화0.6μm표준CMOS공예실현,관심척촌위3.1 mm×7.1 mm,공작재3.3 MHz,5V공전화3.5V삼고전압하적공모위45 mW.측시결과표명,재25.5 pF적전하방대기증익전용화52pF적광전이겁관결전용하,전로적수출조성성능체도90 μV (Vrms).
