科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2013年
26期
7725-7730
,共6页
AlGaN/GaN晶体管%自加热效应%偏微分方程%有限元方法
AlGaN/GaN晶體管%自加熱效應%偏微分方程%有限元方法
AlGaN/GaN정체관%자가열효응%편미분방정%유한원방법
AlGaN/GaN HEMTs%self-heating effect%partial differential equation%finite element method
采用有限元分析方法(FEM)求解泊松方程,连续性方程,以及热传导方程对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的自加热效应进行了数值模拟研究.着重比较了晶体管在SiC、Si及蓝宝石衬底上的沟道温度和漏电流.同时讨论了在外延层和衬底接触处的热边界电阻对晶体管电行为的影响.数值模拟表明,由于SiC的热导比较大,晶体管在其衬底上有较大的漏电流和较低的沟道温度,热边界电阻对其电行为有比较大的影响.相反,由于蓝宝石的热导比较小,晶体管在其衬底上有较低的漏电流和较高的沟道温度,显现出了比较大的自加热效应,热边界电阻对其电行为的影响可以忽略.
採用有限元分析方法(FEM)求解泊鬆方程,連續性方程,以及熱傳導方程對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管的自加熱效應進行瞭數值模擬研究.著重比較瞭晶體管在SiC、Si及藍寶石襯底上的溝道溫度和漏電流.同時討論瞭在外延層和襯底接觸處的熱邊界電阻對晶體管電行為的影響.數值模擬錶明,由于SiC的熱導比較大,晶體管在其襯底上有較大的漏電流和較低的溝道溫度,熱邊界電阻對其電行為有比較大的影響.相反,由于藍寶石的熱導比較小,晶體管在其襯底上有較低的漏電流和較高的溝道溫度,顯現齣瞭比較大的自加熱效應,熱邊界電阻對其電行為的影響可以忽略.
채용유한원분석방법(FEM)구해박송방정,련속성방정,이급열전도방정대AlGaN/GaN고전자천이솔정체관적자가열효응진행료수치모의연구.착중비교료정체관재SiC、Si급람보석츤저상적구도온도화루전류.동시토론료재외연층화츤저접촉처적열변계전조대정체관전행위적영향.수치모의표명,유우SiC적열도비교대,정체관재기츤저상유교대적루전류화교저적구도온도,열변계전조대기전행위유비교대적영향.상반,유우람보석적열도비교소,정체관재기츤저상유교저적루전류화교고적구도온도,현현출료비교대적자가열효응,열변계전조대기전행위적영향가이홀략.
