发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2014年
4期
491-495
,共5页
刘洋%唐吉玉%王茜%段明正%崔婧%伍达将%朱永安
劉洋%唐吉玉%王茜%段明正%崔婧%伍達將%硃永安
류양%당길옥%왕천%단명정%최청%오체장%주영안
平面波展开法%TE模%TM模%完全带隙
平麵波展開法%TE模%TM模%完全帶隙
평면파전개법%TE모%TM모%완전대극
plane wave expansion%TE mode%TM mode%complete band gap
采用平面波展开法模拟二维光子晶体在E极化和H极化下的能带结构,研究Ge基二维正方品格光子晶体的填充比以及晶格排列结构对最大禁带宽度的影响.结果表明:在空气背景材料中填充Ge柱的介质柱结构中,可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a =0.19～0.47范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.064(归一化频率);在选取Ge为背景材料的空气孔型结构中,同样可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.46～0.49范围内,最大完全带隙禁带宽度可以达到0.051(归一化频率).同时,不论在介质柱型还是空气孔L型结构中,带隙宽度都随着r/a的增大呈先增大后减小的趋势.
採用平麵波展開法模擬二維光子晶體在E極化和H極化下的能帶結構,研究Ge基二維正方品格光子晶體的填充比以及晶格排列結構對最大禁帶寬度的影響.結果錶明:在空氣揹景材料中填充Ge柱的介質柱結構中,可產生TE、TM帶隙,且各方嚮完全帶隙齣現在r/a =0.19～0.47範圍內,最大完全帶隙禁帶寬度可以達到0.064(歸一化頻率);在選取Ge為揹景材料的空氣孔型結構中,同樣可產生TE、TM帶隙,且各方嚮完全帶隙齣現在r/a=0.46～0.49範圍內,最大完全帶隙禁帶寬度可以達到0.051(歸一化頻率).同時,不論在介質柱型還是空氣孔L型結構中,帶隙寬度都隨著r/a的增大呈先增大後減小的趨勢.
채용평면파전개법모의이유광자정체재E겁화화H겁화하적능대결구,연구Ge기이유정방품격광자정체적전충비이급정격배렬결구대최대금대관도적영향.결과표명:재공기배경재료중전충Ge주적개질주결구중,가산생TE、TM대극,차각방향완전대극출현재r/a =0.19～0.47범위내,최대완전대극금대관도가이체도0.064(귀일화빈솔);재선취Ge위배경재료적공기공형결구중,동양가산생TE、TM대극,차각방향완전대극출현재r/a=0.46～0.49범위내,최대완전대극금대관도가이체도0.051(귀일화빈솔).동시,불론재개질주형환시공기공L형결구중,대극관도도수착r/a적증대정선증대후감소적추세.
