无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2014年
2期
466-472
,共7页
姬姗姗%梅艳霞%张锦秋%杨培霞%连叶%安茂忠
姬姍姍%梅豔霞%張錦鞦%楊培霞%連葉%安茂忠
희산산%매염하%장금추%양배하%련협%안무충
离子液体%电化学行为%电沉积%CIGS薄膜
離子液體%電化學行為%電沉積%CIGS薄膜
리자액체%전화학행위%전침적%CIGS박막
ionic liquid%electrochemical behavior%electrodeposition%CIGS thin films
采用循环伏安法(CV)对离子液体Reline中三元CuCl2+InCl3+SeCl4体系和四元CuCl2+InCl3+GaCl3+SeCl4体系的电化学行为进行了研究.研究表明,In3+并入三元CIS(Cu-In-Se)薄膜体系和Ga3+并入四元CIGS(Cu-In-Ga-Se)薄膜体系均有两种途径:一是发生共沉积,二是直接还原.利用电感耦合等离子体发射光谱(ICP)和扫描电镜(SEM)对沉积电势、镀液温度和主盐浓度对CIGS薄膜组成、镀层表面形貌的影响进行了测试,结果表明通过工艺参数的选择可以控制Ga/(Ga+In)和CIGS薄膜组成并得到化学计量比为Cu1.00In0.78Ga0.27Sez13的薄膜.
採用循環伏安法(CV)對離子液體Reline中三元CuCl2+InCl3+SeCl4體繫和四元CuCl2+InCl3+GaCl3+SeCl4體繫的電化學行為進行瞭研究.研究錶明,In3+併入三元CIS(Cu-In-Se)薄膜體繫和Ga3+併入四元CIGS(Cu-In-Ga-Se)薄膜體繫均有兩種途徑:一是髮生共沉積,二是直接還原.利用電感耦閤等離子體髮射光譜(ICP)和掃描電鏡(SEM)對沉積電勢、鍍液溫度和主鹽濃度對CIGS薄膜組成、鍍層錶麵形貌的影響進行瞭測試,結果錶明通過工藝參數的選擇可以控製Ga/(Ga+In)和CIGS薄膜組成併得到化學計量比為Cu1.00In0.78Ga0.27Sez13的薄膜.
채용순배복안법(CV)대리자액체Reline중삼원CuCl2+InCl3+SeCl4체계화사원CuCl2+InCl3+GaCl3+SeCl4체계적전화학행위진행료연구.연구표명,In3+병입삼원CIS(Cu-In-Se)박막체계화Ga3+병입사원CIGS(Cu-In-Ga-Se)박막체계균유량충도경:일시발생공침적,이시직접환원.이용전감우합등리자체발사광보(ICP)화소묘전경(SEM)대침적전세、도액온도화주염농도대CIGS박막조성、도층표면형모적영향진행료측시,결과표명통과공예삼수적선택가이공제Ga/(Ga+In)화CIGS박막조성병득도화학계량비위Cu1.00In0.78Ga0.27Sez13적박막.
