信息记录材料
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신식기록재료
INFORMATION RECORDING MATERIALS
2014年
3期
30-36
,共7页
岑伟富%杨吟野%范梦慧%姚娟%黄金保
岑偉富%楊吟野%範夢慧%姚娟%黃金保
잠위부%양음야%범몽혜%요연%황금보
应变%能带结构%光学性质%C%第一性原理
應變%能帶結構%光學性質%C%第一性原理
응변%능대결구%광학성질%C%제일성원리
采用第一性原理赝势平面波方法对(100)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明:(100)面在晶格发生100%~116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96%~100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88%~96%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变大干88%后转变为间接带半导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化:随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向低能方向偏移,施加张应变反射向高能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.
採用第一性原理贗勢平麵波方法對(100)應變下正交相Ca2P0.25Si0.75的能帶結構及光學性質進行模擬計算.計算結果錶明:(100)麵在晶格髮生100%~116%張應變時,帶隙隨著應變增加而減小;在晶格髮生96%~100%壓應變時,帶隙隨著張應變的增加而增加;88%~96%壓應變時,帶隙隨著壓應變的增加而減小;噹壓應變大榦88%後轉變為間接帶半導體.噹施加應變後光學性質髮生顯著的變化:隨著壓應變的增加靜態介電常數、摺射率逐漸減小,張應變則反之.施加壓應變反射嚮低能方嚮偏移,施加張應變反射嚮高能方嚮偏移,但施加應變對反射區域的影響不顯著.施壓應變吸收譜、光電導率的變化與介電函數和摺射率相反.綜上所述,應變可以改變Ca2P0.25Si0.75的電子結構和光學常數,是調節Ca2P0.25Si0.75光電傳輸性能的有效手段.
채용제일성원리안세평면파방법대(100)응변하정교상Ca2P0.25Si0.75적능대결구급광학성질진행모의계산.계산결과표명:(100)면재정격발생100%~116%장응변시,대극수착응변증가이감소;재정격발생96%~100%압응변시,대극수착장응변적증가이증가;88%~96%압응변시,대극수착압응변적증가이감소;당압응변대간88%후전변위간접대반도체.당시가응변후광학성질발생현저적변화:수착압응변적증가정태개전상수、절사솔축점감소,장응변칙반지.시가압응변반사향저능방향편이,시가장응변반사향고능방향편이,단시가응변대반사구역적영향불현저.시압응변흡수보、광전도솔적변화여개전함수화절사솔상반.종상소술,응변가이개변Ca2P0.25Si0.75적전자결구화광학상수,시조절Ca2P0.25Si0.75광전전수성능적유효수단.