厦门理工学院学报
廈門理工學院學報
하문리공학원학보
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2013年
3期
1-4
,共4页
张厚安%吴艺辉%古思勇%林佳%庄树新
張厚安%吳藝輝%古思勇%林佳%莊樹新
장후안%오예휘%고사용%림가%장수신
(Mo,W)Si2-Si3N4涂层%钼%低温氧化
(Mo,W)Si2-Si3N4塗層%鉬%低溫氧化
(Mo,W)Si2-Si3N4도층%목%저온양화
采用包渗法在钼表面原位制备了(Mo,W)Si2-Si3N4复合涂层,考察了其在大气中于500℃和600℃等温循环的氧化性能,利用XRD和SEM等研究了其组织形貌.结果表明:(Mo,W) Si2-Si3N4涂层具有良好的低温抗氧化性,其在空气中500℃和600℃氧化480 h的氧化速率分别为0.0145 g/(m2·h)和0.0191g/ (m2·h),归因于涂层氧化表面形成了致密的SiO2膜.
採用包滲法在鉬錶麵原位製備瞭(Mo,W)Si2-Si3N4複閤塗層,攷察瞭其在大氣中于500℃和600℃等溫循環的氧化性能,利用XRD和SEM等研究瞭其組織形貌.結果錶明:(Mo,W) Si2-Si3N4塗層具有良好的低溫抗氧化性,其在空氣中500℃和600℃氧化480 h的氧化速率分彆為0.0145 g/(m2·h)和0.0191g/ (m2·h),歸因于塗層氧化錶麵形成瞭緻密的SiO2膜.
채용포삼법재목표면원위제비료(Mo,W)Si2-Si3N4복합도층,고찰료기재대기중우500℃화600℃등온순배적양화성능,이용XRD화SEM등연구료기조직형모.결과표명:(Mo,W) Si2-Si3N4도층구유량호적저온항양화성,기재공기중500℃화600℃양화480 h적양화속솔분별위0.0145 g/(m2·h)화0.0191g/ (m2·h),귀인우도층양화표면형성료치밀적SiO2막.
