真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2013年
4期
88-91
,共4页
崔颖%蔡安富%陈新辉%黄亦工
崔穎%蔡安富%陳新輝%黃亦工
최영%채안부%진신휘%황역공
粉体处理工艺%粒度%抗拉强度
粉體處理工藝%粒度%抗拉彊度
분체처리공예%립도%항랍강도
Milling%Particle size%Tensile strength
本文采用两种不同的Mo粉处理工艺,将Mo粉中团聚体打开,获得粒度较小的Mo粉体,然后,找出适合处理后的Mo粉丝网印刷工艺.结果发现,Mo粉通过湿磨工艺处理后,D50可以降至1.78μm.用该种粉体金属化后的95％ Al2O3陶瓷,其金属化层致密、均匀,封接强度较干磨工艺处理Mo获得的金属化封接强度提高了2.5倍,达到350MPa以上.
本文採用兩種不同的Mo粉處理工藝,將Mo粉中糰聚體打開,穫得粒度較小的Mo粉體,然後,找齣適閤處理後的Mo粉絲網印刷工藝.結果髮現,Mo粉通過濕磨工藝處理後,D50可以降至1.78μm.用該種粉體金屬化後的95％ Al2O3陶瓷,其金屬化層緻密、均勻,封接彊度較榦磨工藝處理Mo穫得的金屬化封接彊度提高瞭2.5倍,達到350MPa以上.
본문채용량충불동적Mo분처리공예,장Mo분중단취체타개,획득립도교소적Mo분체,연후,조출괄합처리후적Mo분사망인쇄공예.결과발현,Mo분통과습마공예처리후,D50가이강지1.78μm.용해충분체금속화후적95％ Al2O3도자,기금속화층치밀、균균,봉접강도교간마공예처리Mo획득적금속화봉접강도제고료2.5배,체도350MPa이상.
