真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2013年
4期
73-76
,共4页
何樵%储爱民%秦明礼%鲁慧峰%曲选辉
何樵%儲愛民%秦明禮%魯慧峰%麯選輝
하초%저애민%진명례%로혜봉%곡선휘
低温燃烧合成%前驱物%两步碳热还原%AlN-SiC复合粉末
低溫燃燒閤成%前驅物%兩步碳熱還原%AlN-SiC複閤粉末
저온연소합성%전구물%량보탄열환원%AlN-SiC복합분말
Low temperature combustion synthesis%Precursor%Two-step carbothermal reduction%AlN-SiC composites powder
以硅溶胶(SiO2·nH2O)、葡萄糖(C6H12O6·H2O)、硝酸铝(Al(NO3)3)和尿素(CO(NH2)2)为原料,采用低温燃烧合成方法,制备出粒度细小、混合均匀的(Al2O3+SiO2+C)前驱物,然后将前驱物采用两步碳热还原反应制备AlN-SiC复合粉末.研究结果表明:(Al2O3+SiO2+C)前驱物具有较高的反应活性,还原反应速率快,前驱物首先在1600℃通氩气保温3h然后再于1600℃通氮气保温3h可实现完全转化,制备的AlN-SiC复合粉末主要由尺寸为80～100 nm的球形颗粒组成.
以硅溶膠(SiO2·nH2O)、葡萄糖(C6H12O6·H2O)、硝痠鋁(Al(NO3)3)和尿素(CO(NH2)2)為原料,採用低溫燃燒閤成方法,製備齣粒度細小、混閤均勻的(Al2O3+SiO2+C)前驅物,然後將前驅物採用兩步碳熱還原反應製備AlN-SiC複閤粉末.研究結果錶明:(Al2O3+SiO2+C)前驅物具有較高的反應活性,還原反應速率快,前驅物首先在1600℃通氬氣保溫3h然後再于1600℃通氮氣保溫3h可實現完全轉化,製備的AlN-SiC複閤粉末主要由呎吋為80～100 nm的毬形顆粒組成.
이규용효(SiO2·nH2O)、포도당(C6H12O6·H2O)、초산려(Al(NO3)3)화뇨소(CO(NH2)2)위원료,채용저온연소합성방법,제비출립도세소、혼합균균적(Al2O3+SiO2+C)전구물,연후장전구물채용량보탄열환원반응제비AlN-SiC복합분말.연구결과표명:(Al2O3+SiO2+C)전구물구유교고적반응활성,환원반응속솔쾌,전구물수선재1600℃통아기보온3h연후재우1600℃통담기보온3h가실현완전전화,제비적AlN-SiC복합분말주요유척촌위80～100 nm적구형과립조성.
