发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
10期
1367-1372
,共6页
章敏杰%梅霆%王乃印%朱凝%王达飞%李浩%文洁
章敏傑%梅霆%王迺印%硃凝%王達飛%李浩%文潔
장민걸%매정%왕내인%주응%왕체비%리호%문길
发光二极管%插入势阱%电子阻挡层
髮光二極管%插入勢阱%電子阻擋層
발광이겁관%삽입세정%전자조당층
light-emitting diodes (LEDs)%inserted well%electron-blocking layer
在LED中引入了Al0.1Ga0.9N-AlxGa1-xN-Al0.1Ga0.9N多层电子阻挡层,并讨论结构中插入的势阱深度(即中间层AlxGa1-xN的Al组分“x”)的变化对LED性能带来的影响.研究发现,具有三明治结构电子阻挡层(EBL)的LED比传统LED具有更好的发光特性,并且其性能与电子阻挡层中的势阱深度密切相关.究其原因,一是由于电子阻挡层内部不同程度的晶格失配而引入的极化电场引起了电子阻挡层的有效势垒高度的不同:二是在于电子阻挡层中的势阱所产生的空穴聚集效应也会随着势阱深度的变化而变化.故而使得空穴注入效率和电子阻挡层对电子的限制作用在不同势阱深度的LED样品中有所不同.
在LED中引入瞭Al0.1Ga0.9N-AlxGa1-xN-Al0.1Ga0.9N多層電子阻擋層,併討論結構中插入的勢阱深度(即中間層AlxGa1-xN的Al組分“x”)的變化對LED性能帶來的影響.研究髮現,具有三明治結構電子阻擋層(EBL)的LED比傳統LED具有更好的髮光特性,併且其性能與電子阻擋層中的勢阱深度密切相關.究其原因,一是由于電子阻擋層內部不同程度的晶格失配而引入的極化電場引起瞭電子阻擋層的有效勢壘高度的不同:二是在于電子阻擋層中的勢阱所產生的空穴聚集效應也會隨著勢阱深度的變化而變化.故而使得空穴註入效率和電子阻擋層對電子的限製作用在不同勢阱深度的LED樣品中有所不同.
재LED중인입료Al0.1Ga0.9N-AlxGa1-xN-Al0.1Ga0.9N다층전자조당층,병토론결구중삽입적세정심도(즉중간층AlxGa1-xN적Al조분“x”)적변화대LED성능대래적영향.연구발현,구유삼명치결구전자조당층(EBL)적LED비전통LED구유경호적발광특성,병차기성능여전자조당층중적세정심도밀절상관.구기원인,일시유우전자조당층내부불동정도적정격실배이인입적겁화전장인기료전자조당층적유효세루고도적불동:이시재우전자조당층중적세정소산생적공혈취집효응야회수착세정심도적변화이변화.고이사득공혈주입효솔화전자조당층대전자적한제작용재불동세정심도적LED양품중유소불동.
