发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
10期
1346-1350
,共5页
InGaN%LED%电路模型%上升时间
InGaN%LED%電路模型%上升時間
InGaN%LED%전로모형%상승시간
InGaN%LED%circuit model%rise time
理论上研究了当InGaN发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系.结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现.结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构.
理論上研究瞭噹InGaN髮光二極管(LED)有源區的量子阱數變化時,LED的大信號瞬態響應特性與這種變化的關繫.結果來自于LED等效電路模型的SPICE模擬,模型參數的確定通過擬閤已測量的LED的實驗數據及模擬結果來實現.結果錶明,LED光脈遲的上升時間隨量子阱數的增加而增加,由3箇量子阱構成的有源區是LED的優化結構.
이론상연구료당InGaN발광이겁관(LED)유원구적양자정수변화시,LED적대신호순태향응특성여저충변화적관계.결과래자우LED등효전로모형적SPICE모의,모형삼수적학정통과의합이측량적LED적실험수거급모의결과래실현.결과표명,LED광맥충적상승시간수양자정수적증가이증가,유3개양자정구성적유원구시LED적우화결구.
