材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2013年
19期
130-134
,共5页
刘猛%李顺%白书欣%赵恂%熊德赣
劉猛%李順%白書訢%趙恂%熊德贛
류맹%리순%백서흔%조순%웅덕공
电子封装材料%SiCp/Cu%制备方法%界面反应%界面调控
電子封裝材料%SiCp/Cu%製備方法%界麵反應%界麵調控
전자봉장재료%SiCp/Cu%제비방법%계면반응%계면조공
electronic packaging material%SiCp/Cu%preparation method%interfacial reaction%interfacial design
详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiC/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法.分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法.
詳細介紹瞭SiCp/Cu電子封裝材料的主要製備方法及應用情況,目前國內外SiC/Cu電子封裝材料的主要製備方法有粉末冶金法、放電等離子燒結法、無壓浸滲法、壓力浸滲法和反應鎔滲法,其中包覆粉末熱壓燒結法和壓力浸滲法是目前研髮應用較廣汎的兩種方法.分析瞭SiC與Cu之間的界麵反應機理,併指明SiCp/Cu電子封裝材料的製備要解決的主要問題就是在SiC與Cu之間設置界麵阻擋層,進而詳細闡述瞭SiCp/Cu電子封裝材料主要界麵改性方法及其調控效果,併指齣目前應用最好的兩種方法是物理氣相沉積法和化學氣相沉積法.
상세개소료SiCp/Cu전자봉장재료적주요제비방법급응용정황,목전국내외SiC/Cu전자봉장재료적주요제비방법유분말야금법、방전등리자소결법、무압침삼법、압력침삼법화반응용삼법,기중포복분말열압소결법화압력침삼법시목전연발응용교엄범적량충방법.분석료SiC여Cu지간적계면반응궤리,병지명SiCp/Cu전자봉장재료적제비요해결적주요문제취시재SiC여Cu지간설치계면조당층,진이상세천술료SiCp/Cu전자봉장재료주요계면개성방법급기조공효과,병지출목전응용최호적량충방법시물리기상침적법화화학기상침적법.
