山东科学
山東科學
산동과학
SHANDONG SCIENCE
2013年
5期
18-21
,共4页
王梦琦%栾梦恺%孙虎%王绘凝%冀子武
王夢琦%欒夢愷%孫虎%王繪凝%冀子武
왕몽기%란몽개%손호%왕회응%기자무
光致发光%InGaN母体%量子点%相分离
光緻髮光%InGaN母體%量子點%相分離
광치발광%InGaN모체%양자점%상분리
photoluminescence%InGaN matrix%quantum dot%phase-separation
利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了多量子阱结构的InGaN/GaN薄膜,并对其光致发光(PL)特性进行了研究.结果显示该样品的PL谱中有两个主要发光成分,这两个发光成分被认为是分别来自InGaN阱层中的两个分离的相:低In的InGaN母体和富In的量子点,并且它们的积分强度强烈地依赖测试温度和激发功率.这个行为被解释为GaN和InN之间较低的互溶隙导致了InGaN阱层的相分离,并且在这两个相之间存在着光生载流子的传输过程.
利用金屬有機化學氣相沉積技術在藍寶石襯底上生長瞭多量子阱結構的InGaN/GaN薄膜,併對其光緻髮光(PL)特性進行瞭研究.結果顯示該樣品的PL譜中有兩箇主要髮光成分,這兩箇髮光成分被認為是分彆來自InGaN阱層中的兩箇分離的相:低In的InGaN母體和富In的量子點,併且它們的積分彊度彊烈地依賴測試溫度和激髮功率.這箇行為被解釋為GaN和InN之間較低的互溶隙導緻瞭InGaN阱層的相分離,併且在這兩箇相之間存在著光生載流子的傳輸過程.
이용금속유궤화학기상침적기술재람보석츤저상생장료다양자정결구적InGaN/GaN박막,병대기광치발광(PL)특성진행료연구.결과현시해양품적PL보중유량개주요발광성분,저량개발광성분피인위시분별래자InGaN정층중적량개분리적상:저In적InGaN모체화부In적양자점,병차타문적적분강도강렬지의뢰측시온도화격발공솔.저개행위피해석위GaN화InN지간교저적호용극도치료InGaN정층적상분리,병차재저량개상지간존재착광생재류자적전수과정.
