计算物理
計算物理
계산물리
CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS
2013年
5期
739-744
,共6页
王洪刚%钱芸生%杜玉杰%任玲%徐源
王洪剛%錢蕓生%杜玉傑%任玲%徐源
왕홍강%전예생%두옥걸%임령%서원
表面势垒%梯度掺杂%NEA GaN光电阴极%电子逸出几率
錶麵勢壘%梯度摻雜%NEA GaN光電陰極%電子逸齣幾率
표면세루%제도참잡%NEA GaN광전음겁%전자일출궤솔
surface barrier%gradient-doping%NEA GaN photocathode%electron escape probability
研究表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子逸出几率的影响.计算梯度掺杂透射式GaN光电阴极的电子能量分布及逸出几率,结果显示梯度掺杂与均匀掺杂相比,可以获得更大的电子逸出几率；Ⅰ势垒对电子逸出几率的影响显著,而Ⅱ势垒影响较小.利用GaN光电阴极多信息量测试系统,测试两种GaN阴极样品的光电流.实验结果表明,梯度掺杂GaN样品比均匀掺杂电子逸出几率更大；单独进行Cs激活形成的Ⅰ势垒对电子逸出几率有显著影响,而Cs/O共同激活形成的Ⅱ势垒对其影响较小.
研究錶麵勢壘對梯度摻雜GaN光電陰極電子逸齣幾率的影響.計算梯度摻雜透射式GaN光電陰極的電子能量分佈及逸齣幾率,結果顯示梯度摻雜與均勻摻雜相比,可以穫得更大的電子逸齣幾率；Ⅰ勢壘對電子逸齣幾率的影響顯著,而Ⅱ勢壘影響較小.利用GaN光電陰極多信息量測試繫統,測試兩種GaN陰極樣品的光電流.實驗結果錶明,梯度摻雜GaN樣品比均勻摻雜電子逸齣幾率更大；單獨進行Cs激活形成的Ⅰ勢壘對電子逸齣幾率有顯著影響,而Cs/O共同激活形成的Ⅱ勢壘對其影響較小.
연구표면세루대제도참잡GaN광전음겁전자일출궤솔적영향.계산제도참잡투사식GaN광전음겁적전자능량분포급일출궤솔,결과현시제도참잡여균균참잡상비,가이획득경대적전자일출궤솔；Ⅰ세루대전자일출궤솔적영향현저,이Ⅱ세루영향교소.이용GaN광전음겁다신식량측시계통,측시량충GaN음겁양품적광전류.실험결과표명,제도참잡GaN양품비균균참잡전자일출궤솔경대；단독진행Cs격활형성적Ⅰ세루대전자일출궤솔유현저영향,이Cs/O공동격활형성적Ⅱ세루대기영향교소.
