TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究
TFT-LCD기건양화인석층무퇴화공예연구
Anneal skip of ITO layer in TFT-LCD
  • 万方数据
    液晶与显示 액정여현시
    CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
    2014年 1期 55-59 ,共5页

    张家祥%卢凯%郭建%姜晓辉%崔玉琳%王亮%阎长江%曲连杰%陈旭

    장가상%로개%곽건%강효휘%최옥림%왕량%염장강%곡련걸%진욱

    无退火工艺%透过率%氧化铟锡层%TFT特性 無退火工藝%透過率%氧化銦錫層%TFT特性
    무퇴화공예%투과솔%양화인석층%TFT특성
    anneal skip%transmittance%ITO layer%TFT characteristic
    对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本.采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率.无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44％;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同.
    대TFT-LCD기건양화인석(ITO)층무퇴화신공예진행료심입연구,통과장양화인석상변여취선아알(PI)막고화과정동보진행,간화료공예과정,절약료생산성본.채용무퇴화공예양화인석막층적평균전조치화막층투과솔여전통고온퇴화공예하기본상동,가이실현저적전조치화고적투과솔.무퇴화공예하PI막표면평정균균,양화인석막여PI막계면결합량호,무고포、마점등,야몰유반응산물생성;경과TFT특성측시발현,무퇴화공예비고온퇴화공예조건하,무론암태환시광조상태,개전류몰유명현구별,루전류가강저44％;통과무퇴화공예화전통고온퇴화공예제비적액정현시병적V-T특성상동.
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