液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2014年
1期
7-14
,共8页
张定涛%李文彬%姚立红%郑云友%李伟%袁明
張定濤%李文彬%姚立紅%鄭雲友%李偉%袁明
장정도%리문빈%요립홍%정운우%리위%원명
低耗%钼刻蚀%阴极耦合离子%试验设计
低耗%鉬刻蝕%陰極耦閤離子%試驗設計
저모%목각식%음겁우합리자%시험설계
low-consumable%molybdenum-etch%enhance cathode couple plasma%design experiment
为简化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗,在2 200 mm×2 500 mm大尺寸玻璃上,采用正交实验设计,验证了功率、气压、反应气体和比例等参数对各刻蚀步骤刻蚀速率、均一性和选择比的影响关系,从而得到各膜层的最佳工艺条件.在Enhance Cathode Couple Plasma Mode(ECCP)刻蚀模式下,采用新刻蚀条件合并薄膜晶体管有源区非晶硅、光刻胶、湿刻后源极和漏极剩余金属钼以及沟道非晶硅层干法刻蚀.利用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜电学特性进行测试,结果显示,金属钼的刻蚀可以采用一次两步干法刻蚀,“2干2湿”刻蚀可以整合为“1干1湿”.整合后总刻蚀工艺时间减少16s,减少了氯气使用量和RF总功率.试验改进了均一性和刻蚀率,同时对于下底衬具有良好的选择比,保持了良好的形貌,为大批量“1干1湿”生产提供了依据.
為簡化大呎吋液晶麵闆四次光刻法的刻蝕工藝、減少有毒氣體使用、降低射頻功率消耗,在2 200 mm×2 500 mm大呎吋玻璃上,採用正交實驗設計,驗證瞭功率、氣壓、反應氣體和比例等參數對各刻蝕步驟刻蝕速率、均一性和選擇比的影響關繫,從而得到各膜層的最佳工藝條件.在Enhance Cathode Couple Plasma Mode(ECCP)刻蝕模式下,採用新刻蝕條件閤併薄膜晶體管有源區非晶硅、光刻膠、濕刻後源極和漏極剩餘金屬鉬以及溝道非晶硅層榦法刻蝕.利用掃描電子顯微鏡(SEM)對薄膜電學特性進行測試,結果顯示,金屬鉬的刻蝕可以採用一次兩步榦法刻蝕,“2榦2濕”刻蝕可以整閤為“1榦1濕”.整閤後總刻蝕工藝時間減少16s,減少瞭氯氣使用量和RF總功率.試驗改進瞭均一性和刻蝕率,同時對于下底襯具有良好的選擇比,保持瞭良好的形貌,為大批量“1榦1濕”生產提供瞭依據.
위간화대척촌액정면판사차광각법적각식공예、감소유독기체사용、강저사빈공솔소모,재2 200 mm×2 500 mm대척촌파리상,채용정교실험설계,험증료공솔、기압、반응기체화비례등삼수대각각식보취각식속솔、균일성화선택비적영향관계,종이득도각막층적최가공예조건.재Enhance Cathode Couple Plasma Mode(ECCP)각식모식하,채용신각식조건합병박막정체관유원구비정규、광각효、습각후원겁화루겁잉여금속목이급구도비정규층간법각식.이용소묘전자현미경(SEM)대박막전학특성진행측시,결과현시,금속목적각식가이채용일차량보간법각식,“2간2습”각식가이정합위“1간1습”.정합후총각식공예시간감소16s,감소료록기사용량화RF총공솔.시험개진료균일성화각식솔,동시대우하저츤구유량호적선택비,보지료량호적형모,위대비량“1간1습”생산제공료의거.