无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2014年
3期
597-602
,共6页
翟化松%余春燕%高昂%姜武%王坤鹏%许并社
翟化鬆%餘春燕%高昂%薑武%王坤鵬%許併社
적화송%여춘연%고앙%강무%왕곤붕%허병사
GaN微米薄膜%金属缓冲层%化学气相沉积
GaN微米薄膜%金屬緩遲層%化學氣相沉積
GaN미미박막%금속완충층%화학기상침적
GaN micron films%metal buffer layer%,chemical vapor deposition (CVD)
本文以金属Ga和NH3为原料,Al、Ni和Fe为金属缓冲层,采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上合成了GaN微米薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量弥散X射线谱(EDS)、光致发光光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)等对GaN微米薄膜进行表征.结果表明,所有样品均为六方纤锌矿结构;样品均出现了很强的近带边紫外发射峰和半峰宽较大的中心波长为672 nm红光发射峰;不同样品的电学性能差异较大.最后对合成的GaN微米薄膜的可能形成机理进行了简单分析.
本文以金屬Ga和NH3為原料,Al、Ni和Fe為金屬緩遲層,採用化學氣相沉積法(CVD)在Si(100)襯底上閤成瞭GaN微米薄膜.利用X射線衍射儀(XRD)、場髮射掃描電子顯微鏡(FESEM)、能量瀰散X射線譜(EDS)、光緻髮光光譜(PL)和霍爾效應測試儀(HMS-3000)等對GaN微米薄膜進行錶徵.結果錶明,所有樣品均為六方纖鋅礦結構;樣品均齣現瞭很彊的近帶邊紫外髮射峰和半峰寬較大的中心波長為672 nm紅光髮射峰;不同樣品的電學性能差異較大.最後對閤成的GaN微米薄膜的可能形成機理進行瞭簡單分析.
본문이금속Ga화NH3위원료,Al、Ni화Fe위금속완충층,채용화학기상침적법(CVD)재Si(100)츤저상합성료GaN미미박막.이용X사선연사의(XRD)、장발사소묘전자현미경(FESEM)、능량미산X사선보(EDS)、광치발광광보(PL)화곽이효응측시의(HMS-3000)등대GaN미미박막진행표정.결과표명,소유양품균위륙방섬자광결구;양품균출현료흔강적근대변자외발사봉화반봉관교대적중심파장위672 nm홍광발사봉;불동양품적전학성능차이교대.최후대합성적GaN미미박막적가능형성궤리진행료간단분석.
