传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2014年
2期
50-53
,共4页
孙永娇%高翻琴%赵振廷%张文栋%胡杰
孫永嬌%高翻琴%趙振廷%張文棟%鬍傑
손영교%고번금%조진정%장문동%호걸
微接触印刷%水热法%ZnO纳米线阵列%紫外传感器
微接觸印刷%水熱法%ZnO納米線陣列%紫外傳感器
미접촉인쇄%수열법%ZnO납미선진렬%자외전감기
microcontact printing%hydrothermal method%ZnO nanowire arrays%ultraviolet(UV) sensor
采用微接触印刷技术和水热生长方法在硅基底上实现了ZnO种子层的图案化转移与纳米线阵列的可控制备.利用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)等测试手段对制备的ZnO纳米线晶体结构、化学组分以及表面形貌进行了表征,并对制备的ZnO纳米线传感器进行了紫外特性测试.测试结果表明:随着紫外光强度的增加,传感器的光暗电流比和光响应度也随之增加.当紫外传感器偏压在4.5V时,其光暗电流比为80.8,响应度可达4.05 A/W.
採用微接觸印刷技術和水熱生長方法在硅基底上實現瞭ZnO種子層的圖案化轉移與納米線陣列的可控製備.利用X射線衍射(XRD)、能量色散譜(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)等測試手段對製備的ZnO納米線晶體結構、化學組分以及錶麵形貌進行瞭錶徵,併對製備的ZnO納米線傳感器進行瞭紫外特性測試.測試結果錶明:隨著紫外光彊度的增加,傳感器的光暗電流比和光響應度也隨之增加.噹紫外傳感器偏壓在4.5V時,其光暗電流比為80.8,響應度可達4.05 A/W.
채용미접촉인쇄기술화수열생장방법재규기저상실현료ZnO충자층적도안화전이여납미선진렬적가공제비.이용X사선연사(XRD)、능량색산보(EDS)화소묘전자현미경(SEM)등측시수단대제비적ZnO납미선정체결구、화학조분이급표면형모진행료표정,병대제비적ZnO납미선전감기진행료자외특성측시.측시결과표명:수착자외광강도적증가,전감기적광암전류비화광향응도야수지증가.당자외전감기편압재4.5V시,기광암전류비위80.8,향응도가체4.05 A/W.
