硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2014年
18期
161-161,180
,共2页
亚阈值区%低功耗电路
亞閾值區%低功耗電路
아역치구%저공모전로
本文提出了一种改进型的低压、低功耗基准参考源，通过分析原偏置电流对性能的影响，利用MOS管的亚阈值区特性，在原电路的基础上做了改进，提高了性能参数。与原电路比较，输出电压波动由2.83mv降低至0.86mv，温度变化（-25oC至125oC）由83.3ppm/oC提高至51.3ppm/oC，并在低频时具有较高的电源抑制比（79dB@1kHz）。
本文提齣瞭一種改進型的低壓、低功耗基準參攷源，通過分析原偏置電流對性能的影響，利用MOS管的亞閾值區特性，在原電路的基礎上做瞭改進，提高瞭性能參數。與原電路比較，輸齣電壓波動由2.83mv降低至0.86mv，溫度變化（-25oC至125oC）由83.3ppm/oC提高至51.3ppm/oC，併在低頻時具有較高的電源抑製比（79dB@1kHz）。
본문제출료일충개진형적저압、저공모기준삼고원，통과분석원편치전류대성능적영향，이용MOS관적아역치구특성，재원전로적기출상주료개진，제고료성능삼수。여원전로비교，수출전압파동유2.83mv강저지0.86mv，온도변화（-25oC지125oC）유83.3ppm/oC제고지51.3ppm/oC，병재저빈시구유교고적전원억제비（79dB@1kHz）。
