三明学院学报
三明學院學報
삼명학원학보
JOURNAL OF SANMING COLLEGE
2013年
4期
34-38
,共5页
Fe3O4薄膜%磁电阻%霍尔效应%磁滞回线
Fe3O4薄膜%磁電阻%霍爾效應%磁滯迴線
Fe3O4박막%자전조%곽이효응%자체회선
采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO(100)基底上制备了Fe3O4(100)薄膜.XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整.对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度(约120 K)时磁电阻最大.霍尔效应测量得到薄膜中载流子浓度随着温度的降低而减小,h(n)与1/T基本呈线性关系,符合半导体热激活模型,迁移率随着温度的降低而减小,说明在薄膜内存在大量电离杂质中心.薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场,说明薄膜中APBs密度较低.
採用脈遲激光沉積方法,以燒結的Fe3O4為靶材,在STO(100)基底上製備瞭Fe3O4(100)薄膜.XRD和AFM顯示薄膜為純相外延單晶薄膜、錶麵較平整.對薄膜的磁電阻進行測量,薄膜為負磁電阻,且在Verwey轉變溫度(約120 K)時磁電阻最大.霍爾效應測量得到薄膜中載流子濃度隨著溫度的降低而減小,h(n)與1/T基本呈線性關繫,符閤半導體熱激活模型,遷移率隨著溫度的降低而減小,說明在薄膜內存在大量電離雜質中心.薄膜磁滯迴線中較高的飽和磁化場,說明薄膜中APBs密度較低.
채용맥충격광침적방법,이소결적Fe3O4위파재,재STO(100)기저상제비료Fe3O4(100)박막.XRD화AFM현시박막위순상외연단정박막、표면교평정.대박막적자전조진행측량,박막위부자전조,차재Verwey전변온도(약120 K)시자전조최대.곽이효응측량득도박막중재류자농도수착온도적강저이감소,h(n)여1/T기본정선성관계,부합반도체열격활모형,천이솔수착온도적강저이감소,설명재박막내존재대량전리잡질중심.박막자체회선중교고적포화자화장,설명박막중APBs밀도교저.
