广西工学院学报
廣西工學院學報
엄서공학원학보
JOURNAL OF GUANGXI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2013年
3期
5-9
,共5页
InxBi2-xTe3%第一性原理%电子结构%复介电函数
InxBi2-xTe3%第一性原理%電子結構%複介電函數
InxBi2-xTe3%제일성원리%전자결구%복개전함수
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软势法,对InxBi2-xTe3晶体的电子结构进行了模拟计算.系统分析了形成能、能带结构、电子态密度以及复介电函数.计算结果表明:在In的比例x小于0.4的范围内,InxBi2-xTe3仍属于半导体材料,但从直接能隙变为间接能隙,能隙宽度也随着In增加而减小.
採用基于第一性原理的密度汎函理論平麵波超軟勢法,對InxBi2-xTe3晶體的電子結構進行瞭模擬計算.繫統分析瞭形成能、能帶結構、電子態密度以及複介電函數.計算結果錶明:在In的比例x小于0.4的範圍內,InxBi2-xTe3仍屬于半導體材料,但從直接能隙變為間接能隙,能隙寬度也隨著In增加而減小.
채용기우제일성원리적밀도범함이론평면파초연세법,대InxBi2-xTe3정체적전자결구진행료모의계산.계통분석료형성능、능대결구、전자태밀도이급복개전함수.계산결과표명:재In적비례x소우0.4적범위내,InxBi2-xTe3잉속우반도체재료,단종직접능극변위간접능극,능극관도야수착In증가이감소.
