青年科学（教师版）
青年科學（教師版）
청년과학（교사판）
Young Science
2013年
10期
249-250
,共2页
第一原理计算%电子结构%最优化
第一原理計算%電子結構%最優化
제일원리계산%전자결구%최우화
该文利用第一原理膺势平面波方法对立方尖晶石氮化物GexSi3-xN4(x=0,1,2,3)晶体结构进行自洽计算,并分析了其稳定性和电子结构,Ge3N4的能量最低,结构最稳定,其次结构比较稳定的就是GeSi2N4,Si3N4的结构式最不稳定,利用最优化后的晶格常数计算出能带和态密度,多Ge化合物(γ-Ge3N4,γ-Ge2SiN4)的带隙明显小于多Si(γ-GeSi2N4,γ-Si3N4)化合物,但是带隙却没有随Ge含量的减小而同时变大,与γ-Ge3N4相比,γ-Ge2SiN4表现出明显的带隙变小的行为.计算结果表明这几种物质也都具有直接带隙半导体的特征.目前对高温高压下体系稳定性存在分歧,故需要进一步去研究此体系,该文通过广义梯度近似来详细讨论氮化物这个体系就有非常大的意义和参考价值.
該文利用第一原理膺勢平麵波方法對立方尖晶石氮化物GexSi3-xN4(x=0,1,2,3)晶體結構進行自洽計算,併分析瞭其穩定性和電子結構,Ge3N4的能量最低,結構最穩定,其次結構比較穩定的就是GeSi2N4,Si3N4的結構式最不穩定,利用最優化後的晶格常數計算齣能帶和態密度,多Ge化閤物(γ-Ge3N4,γ-Ge2SiN4)的帶隙明顯小于多Si(γ-GeSi2N4,γ-Si3N4)化閤物,但是帶隙卻沒有隨Ge含量的減小而同時變大,與γ-Ge3N4相比,γ-Ge2SiN4錶現齣明顯的帶隙變小的行為.計算結果錶明這幾種物質也都具有直接帶隙半導體的特徵.目前對高溫高壓下體繫穩定性存在分歧,故需要進一步去研究此體繫,該文通過廣義梯度近似來詳細討論氮化物這箇體繫就有非常大的意義和參攷價值.
해문이용제일원리응세평면파방법대립방첨정석담화물GexSi3-xN4(x=0,1,2,3)정체결구진행자흡계산,병분석료기은정성화전자결구,Ge3N4적능량최저,결구최은정,기차결구비교은정적취시GeSi2N4,Si3N4적결구식최불은정,이용최우화후적정격상수계산출능대화태밀도,다Ge화합물(γ-Ge3N4,γ-Ge2SiN4)적대극명현소우다Si(γ-GeSi2N4,γ-Si3N4)화합물,단시대극각몰유수Ge함량적감소이동시변대,여γ-Ge3N4상비,γ-Ge2SiN4표현출명현적대극변소적행위.계산결과표명저궤충물질야도구유직접대극반도체적특정.목전대고온고압하체계은정성존재분기,고수요진일보거연구차체계,해문통과엄의제도근사래상세토론담화물저개체계취유비상대적의의화삼고개치.
