0.18 μm SOI器件技术抗SET设计加固方法
0.18 μm SOI기건기술항SET설계가고방법
Design Implications of Single Event Transients in 0.18 μm SOI Device Technology
  • 万方数据
    科学技术与工程 과학기술여공정
    SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
    2013年 29期 8760-8764 ,共5页

    林家庆%邓玉良%裴国旭%邹黎

    림가경%산옥량%배국욱%추려

    SET(single event transient)%SEU(single event upset)%SOI(silicon on isolation)%辐照加固%原理模型 SET(single event transient)%SEU(single event upset)%SOI(silicon on isolation)%輻照加固%原理模型
    SET(single event transient)%SEU(single event upset)%SOI(silicon on isolation)%복조가고%원리모형
    SET (single event transient)%SEU (single event upset)%SOI(silicon on isolation)%radiation hard%modeling
    介绍0.18 μm SOI器件技术中SET(single event transient)的原理模型及设计加固方法；并结合工艺具体参数,利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真.探讨SET在0.18 μm SOI器件技术中的微观机理.提出0.18 μm SOI工艺SET设计加固方法.重点在于器件和电路级的探讨与加固,尤其是器件物理结构上的SET机理模型及加固设计.
    개소0.18 μm SOI기건기술중SET(single event transient)적원리모형급설계가고방법；병결합공예구체삼수,이용TCAD방진공구진행료모의방진.탐토SET재0.18 μm SOI기건기술중적미관궤리.제출0.18 μm SOI공예SET설계가고방법.중점재우기건화전로급적탐토여가고,우기시기건물리결구상적SET궤리모형급가고설계.
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