天津理工大学学报
天津理工大學學報
천진리공대학학보
JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2013年
5期
54-57
,共4页
ZnO薄膜%正交法%晶体结构
ZnO薄膜%正交法%晶體結構
ZnO박막%정교법%정체결구
ZnO thin films%orthogonal design%crystal structure
采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,考虑影响晶体质量的4个因素,应用正交实验法进行了工艺优化；利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当陈化温度50℃、预处理温度200℃、退火温度650℃和Zn2+浓度0.35 mol/L时,ZnO薄膜的C轴择优取向度最高.
採用溶膠-凝膠工藝在Si(111)襯底上製備瞭ZnO薄膜,攷慮影響晶體質量的4箇因素,應用正交實驗法進行瞭工藝優化；利用X射線衍射儀對薄膜的晶體結構進行瞭分析討論.結果錶明,噹陳化溫度50℃、預處理溫度200℃、退火溫度650℃和Zn2+濃度0.35 mol/L時,ZnO薄膜的C軸擇優取嚮度最高.
채용용효-응효공예재Si(111)츤저상제비료ZnO박막,고필영향정체질량적4개인소,응용정교실험법진행료공예우화；이용X사선연사의대박막적정체결구진행료분석토론.결과표명,당진화온도50℃、예처리온도200℃、퇴화온도650℃화Zn2+농도0.35 mol/L시,ZnO박막적C축택우취향도최고.
