仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2014年
2期
39-41
,共3页
王永存%薛晨阳%刘耀英%田学东%张文栋%李铁
王永存%薛晨暘%劉耀英%田學東%張文棟%李鐵
왕영존%설신양%류요영%전학동%장문동%리철
石墨烯%晶体管%氧等离子体刻蚀%狄拉克点%开关比%栅调制
石墨烯%晶體管%氧等離子體刻蝕%狄拉剋點%開關比%柵調製
석묵희%정체관%양등리자체각식%적랍극점%개관비%책조제
graphene%field-effect transistors%oxygen plasma etching%dirac%Off ratio%gate modulation
石墨烯晶体管因其超高响应频率和超小的体积成为新一代半导体基础器件的发展趋势.针对不同结构的石墨烯晶体管在电学特性上存在差异,通过化学气相沉积法(CVD)在铜箔上生长石墨烯薄膜,转移石墨烯薄膜到Si/SiO2基底上,经过光刻、等离子体刻蚀、电子束蒸发和ALD等工艺制备出顶栅结构的石墨烯晶体管和背栅结构的石墨烯晶体管,通过测试两种结构的石墨烯晶体管,比较了顶栅结构的晶体管和背栅结构的晶体管的栅调制效果和开关比.分析得到,顶栅结构的石墨烯晶体管的栅调制效果和开关比好于背栅结构的石墨烯晶体管.
石墨烯晶體管因其超高響應頻率和超小的體積成為新一代半導體基礎器件的髮展趨勢.針對不同結構的石墨烯晶體管在電學特性上存在差異,通過化學氣相沉積法(CVD)在銅箔上生長石墨烯薄膜,轉移石墨烯薄膜到Si/SiO2基底上,經過光刻、等離子體刻蝕、電子束蒸髮和ALD等工藝製備齣頂柵結構的石墨烯晶體管和揹柵結構的石墨烯晶體管,通過測試兩種結構的石墨烯晶體管,比較瞭頂柵結構的晶體管和揹柵結構的晶體管的柵調製效果和開關比.分析得到,頂柵結構的石墨烯晶體管的柵調製效果和開關比好于揹柵結構的石墨烯晶體管.
석묵희정체관인기초고향응빈솔화초소적체적성위신일대반도체기출기건적발전추세.침대불동결구적석묵희정체관재전학특성상존재차이,통과화학기상침적법(CVD)재동박상생장석묵희박막,전이석묵희박막도Si/SiO2기저상,경과광각、등리자체각식、전자속증발화ALD등공예제비출정책결구적석묵희정체관화배책결구적석묵희정체관,통과측시량충결구적석묵희정체관,비교료정책결구적정체관화배책결구적정체관적책조제효과화개관비.분석득도,정책결구적석묵희정체관적책조제효과화개관비호우배책결구적석묵희정체관.
