发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2014年
3期
349-353
,共5页
刘东洋%刘子洋%王学会%张世明%岳守振%赵毅%刘式墉
劉東洋%劉子洋%王學會%張世明%嶽守振%趙毅%劉式墉
류동양%류자양%왕학회%장세명%악수진%조의%류식용
有机薄膜晶体管%表面形貌%迁移率%TPD
有機薄膜晶體管%錶麵形貌%遷移率%TPD
유궤박막정체관%표면형모%천이솔%TPD
organic thin film transistor%surface morphology%mobility%TPD
通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm并五苯掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯4,4'-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性.研究发现:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯4,4'-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02) cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6 ±1.3)V降至(-30.1±1.2)V.
通過採用在併五苯薄膜與源漏電極之間插入10 nm併五苯摻雜的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯4,4'-二胺薄膜的方法研究瞭基于併五苯有源層的底柵錯麵型有機薄膜晶體管的電學特性.研究髮現:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯4,4'-二胺的引入可以有效改善有源層和源漏電極接觸界麵的錶麵形貌,利于形成歐姆接觸,從而改善器件性能,最終使優化器件的遷移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02) cm2/(V·s),閾值電壓由(-34.6 ±1.3)V降至(-30.1±1.2)V.
통과채용재병오분박막여원루전겁지간삽입10 nm병오분참잡적N,N'-이분기-N,N'-이(3-갑기분기)-1,1'-련분4,4'-이알박막적방법연구료기우병오분유원층적저책착면형유궤박막정체관적전학특성.연구발현:N,N'-이분기-N,N'-이(3-갑기분기)-1,1'-련분4,4'-이알적인입가이유효개선유원층화원루전겁접촉계면적표면형모,리우형성구모접촉,종이개선기건성능,최종사우화기건적천이솔유(0.1±0.01)cm2/(V·s)제승지(0.31±0.02) cm2/(V·s),역치전압유(-34.6 ±1.3)V강지(-30.1±1.2)V.
