硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2013年
23期
31-31,84
,共2页
电容式套管%介质损耗%末屏小套管%数据异常
電容式套管%介質損耗%末屏小套管%數據異常
전용식투관%개질손모%말병소투관%수거이상
通过对电容套管介质损耗试验,我们能够有效地发现因电容套管制造工艺不良或末屏断裂而引起的内部局部放电缺陷,及早地避免因绝缘缺陷而引发的套管爆炸事故,介质损耗试验中通常会遇到电容量Cx及介质损值tgδ的异常变化,文章针对主绝缘介损值变化异常,而电容量变化不显著的问题进行分析及处理,有效的判断出是末屏小套管锈蚀引起的介质损耗测试数据异常,建议对电容套管的末屏绝缘状况引起关注。
通過對電容套管介質損耗試驗,我們能夠有效地髮現因電容套管製造工藝不良或末屏斷裂而引起的內部跼部放電缺陷,及早地避免因絕緣缺陷而引髮的套管爆炸事故,介質損耗試驗中通常會遇到電容量Cx及介質損值tgδ的異常變化,文章針對主絕緣介損值變化異常,而電容量變化不顯著的問題進行分析及處理,有效的判斷齣是末屏小套管鏽蝕引起的介質損耗測試數據異常,建議對電容套管的末屏絕緣狀況引起關註。
통과대전용투관개질손모시험,아문능구유효지발현인전용투관제조공예불량혹말병단렬이인기적내부국부방전결함,급조지피면인절연결함이인발적투관폭작사고,개질손모시험중통상회우도전용량Cx급개질손치tgδ적이상변화,문장침대주절연개손치변화이상,이전용량변화불현저적문제진행분석급처리,유효적판단출시말병소투관수식인기적개질손모측시수거이상,건의대전용투관적말병절연상황인기관주。